Микроминиатюризация

Cтраница 4

Плотность упаковки элементов электронной аппаратуры. [46]

Проблемой микроминиатюризации является и отвод тепла, требующий новых построений схем, рассчитанных на работу в микрорежиме. [47]

Состав дисплейного ПрО для мини - ЭВМ. [48]

Успехи микроминиатюризации позволили создать микро - ЭВМ, легкоразмещаемую внутри настольного дисплея. Наличие у дисплея собственного, встроенного в него микропроцессора, наряду с удовлетворением требований информационной системы позволяет специализировать, приспосабливать такой активный дисплей к конкретным нуждам пользователя. Типичным примером микро - ЭВМ является 8-битовый микропроцессор, построенный из 4 - 8 стандартных ТТЛ БИС; общее число команд может составлять от 40 до 190; длина команды 8 или 16 бит, в состав микропроцессора входит постоянное ЗУ ( ПЗУ) емкостью 100 - 2 Кбайт. В случае микропрограммного процессора набор его основных команд может быть очень небольшим, причем его легко расширить за счет микропрограмм, хранимых в ПЗУ. [49]

Развитие микроминиатюризации и интегральных схем привело к существенному усложнению функции блоков и резкому увеличению их типов в системе. Это обстоятельство усложнило выбор типов блоков, которые целесообразно стандартизировать. [50]

Методы микроминиатюризации электронных схем развиваются на основе широкого использования достижений в технологии микроэлектроники. Микроэлектроникой называется область радиоэлектроники, охватывающая схемотехнические и конструкторско-технологичес-кие вопросы создания микроминиатюрных электронных схем и устройств в целом при помощи специальных технологических процессов. Различают следующие технологические способы производства изделий микроэлектроники: микромодульная технология, тонкопленочная технология, интегральная технология и гибридная технология. [51]

Задача микроминиатюризации электронных устройств тесно связана с автоматизацией технологического процесса изготовления их элементов. В связи с этим одним из важнейших качеств данного элемента становится его технологичность. [52]

С микроминиатюризацией радиоаппаратуры и совершенствованием технологии ее производства выявились новые особые требования к конструктивным параметрам активных элементов, которым вакуумные приборы не удовлетворяют. В современных импульсных усилителях преимущественно используются биполярные транзисторы, имеющие высокую добротность. Полевые транзисторы характеризуются значительно меньшей добротностью чем биполярные транзисторы и лампы, что обусловлено сравнительно малой крутизной характеристики тока стока и большой входной динамической емкостью. Указанное существенно ограничивает область самостоятельного использования полевых транзисторов ( не в сочетании с биполярными) особыми случаями, когда применение других активных элементов по условиям эксплуатации неприемлемо. Укажем здесь, что по сравнению с биполярными транзисторами полевые транзисторы характеризуются повышенной радиационной стойкостью а также способны работать в условиях широкого изменения температуры внешней среды. В частности, полевые транзисторы успешно работают при весьма глубоком охлаждении, причем их электрические параметры при этом улучшаются. Это позволяет применять их в приборах, предназначенных для исследований в области физики низкие температур. [54]

С микроминиатюризацией элементов радиоэлектронной аппаратуры тесно связано использование для их изготовления пленочной технологии. Делаются попытки создать производство по такой технологии катушек индуктивности. Последние представляют собой плоские, обычно однослойные спирали, состоящие из 8 - 15 витков, нанесенных на подложку методом печатного монтажа. Для изготовления спиралей применяют неокисляемые, хорошо проводящие электрический ток металлы, например золото. [55]

Так, микроминиатюризация не может решить этой задачи, по - - тому что имеет дело только с уменьшением габаритов и веса. [56]

Определяющим для микроминиатюризации является применение бескорпусных силовых приборов, так как в любом металлостеклянном корпусе кристалл занимает приблизительно 1 % общего объема прибора. Особенно важно применять бескорпусные приборы в импульсных устройствах без собственных реактивных элементов, так как эти устройства в основном состоят из полупроводниковых приборов и резисторов. Применение бескорпусных приборов позволяет уменьшить объем конструкции импульсных устройств более чем не порядок и довести его до величины, полностью определяемой энергетическими соотношениями и условиями охлаждения. [57]

Страницы: 1 2 3 4