Микроминиатюризация

Cтраница 3

Микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры, Госэнергоиздат, ( МРБ, вып. [31]

Микроминиатюризация моностабильных устройств развивается по двум направлениям - па основе иле-ночной ( тонкопленочной и толстопленочноп) и по упроводш:: о ои технологии. Все рассмотренные ранее схемы мультивибраторов могут быть выполнены ь пленочном варианте. Однако пленочная технология имеет ряд особенностей, влияющих на схемотехническое построение шеночпых узлов. Одной из таких особенностей является малая допустимая мощность рассеяния на пленочных резисторах. [32]

Микроминиатюризация изделий интегральной электроники значительно опережает развитие и миниатюризацию пассивных дискретных ЭРЭ - резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов, дросселей, разъемных соединителей и др., имеющих не совместимые с ИМС и БИС габариты, технологию монтажа и условия эксплуатации. При высоком уровне использования ИМС и БИС и малом количестве дискретных ЭРЭ ( 2 - 5 %) объем, занимаемый последними, составляет 10 - 15 % от объема ячейки, а зона дополнительных устройств ( амортизаторов, реле, резонаторов), обеспечивающих условия эксплуатации этих ЭРЭ - 15 - 30 % от объема блока. Проблема компоновочной совместимости элементной базы решается, как правило, мерами рационального размещения крупногабаритных ЭРЭ на отдельных платах ( см. рис. 2.11) или на платах вторичных источников питания. [33]

Изображение Дна ко этот перепад задержан во. [34]

Микроминиатюризация современных средств радиоэлектроники требует применения высокопроизводительного контрольно-измерительного оборудования. Измерения должны проводиться как при входном контроле, та К и в процессе технологического изготовления интегральных схем. [35]

Микроминиатюризацией называется предельное уменьшение объема, веса элементов и устройств и потребляемой ими мощности. [36]

При микроминиатюризации быстро возрастают плотности потоков тепла, которые требуется отвести. [37]

Два множества разделимы тогда и только тогда, когда их выпуклые оболочки не пересекаются. [38]

Поскольку микроминиатюризация в электронике достигла фантастических темпов, то количество компонент в чипах, проводников на платах и проводов в схемах выросло настолько, что подобное оборудование невозможно спроектировать без помощи ЭВМ. Число элементов в одной интегральной схеме вполне может превысить миллион, и каждый из них должен быть размещен конструктором с учетом множества физических и геометрических ограничений. Следовательно, решения необходимо подвергать тщательной проверке, состоящей из попарных сравнений всех элементов чипа, что дорого и требует много времени. Это приводит к следующему теоретически важному классу задач. [39]

Для микроминиатюризации наиболее предпочтительными являются колебания сдвига по толщине. Специальной ориентацией кварцевого элемента относительно кристаллографических осей до-би-ваются высокой температурной стабильности кварцевых резонаторов. В настоящее время срезы обозначаются либо тремя буквами в зависимости от того, по каким осям ориентирована толщина, ширина и длина элемента, либо двумя. [40]

Раздельная термокомпенсация температурной нестабильности кварцевого ЧТ генератора на fs и fH при использовании одного варикапа. а при осуществлении манипуляции изменением напряжения смещения на варикапе. б при дополнительной коммутации реактивных сопротивлений Xi и Х2 при манипуляции. [41]

Для микроминиатюризации более перспективной является схема ЧТ генератора, позволяющая проводить раздельную термокомпенсацию нестабильности верхней и нижней частот манипуляции при использовании одного варикапа. [42]

При микроминиатюризации радиоэлектронных устройств ставится задача не только уменьшения габаритных размеров, улучшения надежности, экономических и технологических характеристик устройств уже известных схем и конструкций в миниатюрном исполнении, но и задачи оценки потенциальных возможностей существующих схем, оптимизации электрических и конструктивных характеристик как отдельных функциональных элементов, так и устройства в целом на основе разработки новых схем и конструктивных решений с улучшенными характеристиками. [43]

Варианты конструкции канальных транзисторов. [44]

При микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры полупроводниковые приборы стараются выполнить в виде тонких напыленных пленок. Эти пленки обычно бывают поликристаллическими, и время жизни неосновных носителей в них мало. В этом случае также целесообразно применять принцип канального транзистора. [45]

Страницы: 1 2 3 4