Cтраница 1
![]() |
Схема лавинного умножения носителей заряда в переходе. [1] |
Микроплазмы по своей природе нестабильны. [2]
Микроплазма отличается весьма высокой концентрацией энергии и малым пятном нагрева, что соответствует лучевым источникам энергии ( см. гл. [3]
Микроплазмы генерируют нерегулярные броски токов, приводящие к раннему пробою или к повышению уровня шума прибора. Для снижения избыточного шума лавина должна быть вызвана чисто электронной инжекцией в относительно широкой области умножения. [4]
Микроплазма отличается весьма высокой концентрацией энергии и малым пятном нагрева, что приближает ее к лучевым источникам энергии для сварки. [5]
Микроплазмы представляют обычно в виде цилиндров, оси которых перпендикулярны плоскости перехода. Диаметры микроплазм равны единицам и десяткам микрометров. Каждая микроплазма характеризуется своим напряжением пробоя и дифференциальным сопротивлением. Последнее равно десяткам килоом. [6]
![]() |
Спектральная плотность взрывного шума. [7] |
Сама микроплазма локализуется внутри перехода в областях сильного электрического поля с характерными размерами порядка нескольких сотен ангстрем, в которых трещины и другие дефекты кристаллической решетки содержат ловушки, что приводит к большой плотности заряда в таких местах. Этот связанный заряд способствует лавинному пробою, когда тот возникает. Образование и последующее разрушение микроплазмы - процесс случайный и он приводит к экспериментально наблюдаемым ступенчатым изменениям тока перехода. [8]
Сварка микроплазмой является разновидностью дуговой сварки плавлением. [9]
![]() |
Зеркально-линзовый микрообъектив.| Принципиальная схема лазерного..., спектрометра для эмиссионного анализа. [10] |
Спектральный анализ возбужденной микроплазмы проводят на обычных спектрографах. [11]
Если к микроплазме приложено напряжение, близкое к пробивному, то лавина в микроплазменной области может возникнуть лишь тогда, когда в область пространственного заряда микроплазмы попадает свободный носитель, способный начать лавинный процесс. Флуктуационный процесс микроплазменного тока характеризуется средним временем пребывания микроплазмы в выключенном to и включенном t состоянии. [12]
Физический механизм выключения микроплазм еще не совсем ясен. Предполагается, что выключение происходит вследствие статистических флуктуации числа носителей заряда в области микроплазмы. Причиной выключения также может быть и перераспределение напряжения в р-я-переходе после включения микроплазмы, в результате которого напряжение в микроплазменной области становится меньше, чем необходимо для образования лавины. С ростом тока через микроплазму вероятность выключения экспоненциально уменьшается. [13]
При попадании в объем микроплазмы свободного носителя заряда происходит лавинообразное возрастание тока через микроплазму ( включение микроплазмы), величина которого зависит от сопротивлений нагрузки и микроплазмы. Через некоторый промежуток времени этот процесс повторяется, поэтому обратный ток имеет форму повторяющихся импульсов, длительность и частота следования которых зависят от приложенного напряжения и тока через микроплазму. При обратных токах, превышающих единицы миллиампер, выключение микроплазмы практически не происходит. [14]
![]() |
Вольтамперные характеристики идеального и реального р-п-переходов. [15] |