Cтраница 2
Современная наука знает о микроплазме весьма мало. В некоторых кремниевых переходах характеристика лавинного пробоя не является гладкой, а состоит из нескольких ломаных отрезков прямых линий, по крайней мере, двух различных типов. Это и другие явления в настоящее время еще непонятны. [16]
Взаимосвязи наличия дефектов и появления микроплазм посвящено большое количество работ, однако природа микроплазменного эффекта, пространственная структура микроплазм окончательно не выяснены. [17]
С ростом тока пробоя число микроплазм растет вплоть до однородного покрытия ими всей площади. [18]
Большой интерес представляет применение так называемой микроплазмы, например для прецизионной резки и сварки высокотемпературной тонкой струей - лучом плазмы. Это достигается малым объемом и высоким давлением в камере ( до 5 МПа), а также расширяющейся формой сопла. [19]
Рассматриваемый шум объясняется возникновением и рассасыванием микроплазм. Процессы в микроплазмах аналогичны процессам при пробое по всему переходу. При возникновении микроплазмы на этом участке появляется отрицательное сопротивление и напряжение падает; при рассасывании микроплазмы напряжение снова возрастает. [20]
Эти флуктуации вызываются образованием и возникновением микроплазм - микроучастков перехода, в которых развивается пробой, Это могут быть так называемые слабые места перехода: локальные концентрации примесей, механические напряжения, металлические включения и др. Пробой в микроплазмах носит неустойчивый, прерывистый характер. Эффективное напряжение шума на стабилитроне ( при питании его от генератора тока) достигает нескбльких сотен микровольт. Спектр шума - равномерный в диапазоне частот от 0 до 20 кгц. [21]
Чтобы избежать пробоя на дефектах ( микроплазмах, для лавинных фотодиодов необходимо изготовление высококачественных переходов. На практике нежелательные эффекты пробоя ограничивают как толщину собственной области, так и площадь фотодиодов. [22]
![]() |
Вольт-амперная характеристика лавинного р-я-пере-хода на начальном участке. пробоя. [23] |
Согласно модели, разработанной в [50], микроплазма характеризуется следующими величинами: вероятностью включения в единицу времени, вероятностью выключения в единицу времени, экстраполированным напряжением пробоя и последовательным сопротивлением микроплазмы Rs. [24]
Так, характеристики ЛПД-диодов ухудшаются вследствие возникновения микроплазмы. Последние же возникают главным образом в местах осаждения примесей и на примесных атмосферах дислокаций. Повышение уровня очистки материалов позволило бы освоить изготовление новых функциональных приборов, например акустико-электрических усилителей, в которых используются поверхностные акустические волны в ниобате лития с полупроводниковыми покрытиями. [25]
![]() |
Зависимость динамического сопротивления дн от напряжения пробоя при длительностях т10 икс ( а и 200 икс ( б. Залитые обозначения - для структур р-п - р. светлые - для структур р-п. [26] |
Напряжение пробоя диода ( напряжение пробоя самой низковольтной микроплазмы) зависит от площади вследствие статической природы микроплазменного пробоя. [27]
Если обратное напряжение повышается, то постепенно включаются более высоковольтные микроплазмы, причем число включенных микроплазм линейно увеличивается с ростом обратного тока. При определенной плотности тока условие д / 0бр - const перестает выполняться, так как величина RR при высоких плотностях тока ( 0 4 А / мм2 и более) стремится к постоянному значению. В этом случае скорость роста включенных микроплазм замедляется. [28]
Де Ори пробое перехода начинается сильное лавинное умножение, получили название микроплазм. Такие микроллазмы могут возникать вблизи уже упомянутых структурных нарушений или дефектов, где может происходить концентрация электрического иоля. Если при этом достаточно быстро снять приложенное напряжение, то переход сохранит в значительной степени свои свойства, но при повторном прикладывании напряжения пробой начнется значительно раньше. Если напряжение, вызывающее пробой, поддерживать достаточно долго ( ограничивая при этом ток) или подавать его хотя и кратковременно, но многократно, то характеристики перехода изменятся существенным образом - его обратный ток возрастет, а пробивное напряжение резко снизится, причем пробой будет носить так называемый мезоплаз-менный характер: область развития пробоя будет иметь размеры значительно больше, чем у микроплазм, а наблюдаемое свечение будет гораздо менее ярким. Подобное предположение подтверждается тем, что свечение наблюдается спустя некоторое время после отключения питающего напряжения. [29]
Дальнейшее повышение обратного напряжения приводит к тому, что лавинный пробой в наиболее низковольтной микроплазме переходит в тепловой и наступает разрушение р-л-перехода на этом участке вентиля. [30]