Cтраница 3
При попадании в объем микроплазмы свободного носителя заряда происходит лавинообразное возрастание тока через микроплазму ( включение микроплазмы), величина которого зависит от сопротивлений нагрузки и микроплазмы. Через некоторый промежуток времени этот процесс повторяется, поэтому обратный ток имеет форму повторяющихся импульсов, длительность и частота следования которых зависят от приложенного напряжения и тока через микроплазму. При обратных токах, превышающих единицы миллиампер, выключение микроплазмы практически не происходит. [31]
Развитие пробоя происходит не одновременно по всей площади р-п перехода, а в отдельных микроплазмах. Это вызывает дополнительную нестабильность М и увеличивает шумы. Перечисленные недостатки в сочетании с разбросом параметров у отдельных образцов ограничивают применение лавинных фотодиодов. [32]
Если обратное напряжение повышается, то постепенно включаются более высоковольтные микроплазмы, причем число включенных микроплазм линейно увеличивается с ростом обратного тока. При определенной плотности тока условие д / 0бр - const перестает выполняться, так как величина RR при высоких плотностях тока ( 0 4 А / мм2 и более) стремится к постоянному значению. В этом случае скорость роста включенных микроплазм замедляется. [33]
Меньший разброс удельного сопротивления и более низкоомный кремний способствуют тому, что напряжение пробоя первых микроплазм, по которым происходит разрушение прибора, мало отличается от напряжений пробоя основной массы микроплазм. Анализ полученных в [72] зависимостей показывает, что при использовании однородного, с меньшим разбросом и низкоомного кремния увеличение площади приводит к более эффективному увеличению устойчивости к перенапряжениям и участок насыщения зависимости тока перегрузки от площади наступает при больших значениях тока и площади. Эти зависимости позволяют выбрать предельную величину площади р - n - перехода, которую еще целесообразно использовать в конструкциях лавинных диодов. [34]
Экспоненциальный рост тока с увеличением напряжения имеет место до тех пор, пока количество включенных микроплазм N-Rs / Kx растет линейно с током. [35]
Процесс лавинного пробоя р - n - перехода большой площади является процессом пробоя большого количества отдельных микроплазм. Динамическое сопротивление и вольт-амперная характеристика при этом определяются двумя факторами: увеличением количества включенных микроплазм с ростом напряжения и величинами их последовательных сопротивлений. [36]
При попадании в объем микроплазмы свободного носителя заряда происходит лавинообразное возрастание тока через микроплазму ( включение микроплазмы), величина которого зависит от сопротивлений нагрузки и микроплазмы. Через некоторый промежуток времени этот процесс повторяется, поэтому обратный ток имеет форму повторяющихся импульсов, длительность и частота следования которых зависят от приложенного напряжения и тока через микроплазму. При обратных токах, превышающих единицы миллиампер, выключение микроплазмы практически не происходит. [37]
Вероятность включения P0i выражается как произведение частоты, с которой появляются свободные носители заряда п области микроплазмы, на вероятность того, что пришедший свободный носитель начнет лавинный процесс. [38]
В блоке питания размещена электроника для электроснабжения и для управления лазером, а также для возбуждения микроплазмы между угольными электродами. От блока питается также осветитель микроскопа и электродвигатель вентилятора для охлаждения импульсной лампы. Напряжение для импульсной лампы и для вспомогательного искрового разрядника устанавливается на потенциометрах. [39]
Взаимосвязи наличия дефектов и появления микроплазм посвящено большое количество работ, однако природа микроплазменного эффекта, пространственная структура микроплазм окончательно не выяснены. [40]
Возникновению отрицательного дифференциального сопротивления способствует сильное электрическое поле в приповерхностной области под фаской, вызванное протеканием тока от приповерхностных микроплазм вдоль фаски. [41]
В режиме лавинного пробоя из-за повышения плотности тока в отдельных участках структуры диода могут образовываться небольшие центры разряда, называемые микроплазмами. Поэтому решающим фактором для работы ЛФД является однородность лавинного процесса, реализовать которую возможно только в совершенных электронно-дырочных переходах. [42]
Пробой полупроводниковых диодов носит микроплазменный характер, поэтому естественно, что вольт-амперная характеристика на участке лавинного пробоя определяется электрическими свойствами и параметрами микроплазм. [43]
В режиме лавинного пробоя из-за быстрого нарастания плотности тока в отдельных участках структуры могут возникать некоторые центры ионизации носителей, которые называют микроплазмами. Микроплазмы обычно возникают на краях перехода из-за локального повышения напряженности поля, а также в областях различных микродефектов, как на поверхности, так и в объеме. Степень однородности структуры в объеме при современном уровне технологии может быть очень высокой. [44]
Рассматривая процесс лавинного пробоя, мы опустили многие тонкости и подробности, связанные с этим явлением, а именно влияние горячих электронов и микроплазм, а также процессы локального пробоя. Читателю, заинтересовавшемуся этими явлениями, рекомендуется для детального изучения этого вопроса обратиться к журнальным статьям, на которые мы ссылались раньше. [45]