Растровый микроскоп

Cтраница 3

РЭМ не превышает 10 - 50 тыс. Благодаря большой глубине фокуса растровый микроскоп дает почти трехмерное изображение. Контрастирование пористой аморфной структуры в РЭМ, как правило, проводится с помощью двойного напыления ( углерод-золото) на поверхность образца. Тонкодисперсный порошок углерода заполняет тонким аморфным слоем рельеф поверхности образца; сверху он оттеняется слоем золота, атомы которого свободно диффундируют и отводят электрический заряд, образующийся на поверхности образца под действием мощного электронного пучка. [31]

На рис. 7.1 и 7.2 показаны микрофотографии, полученные с помощью растрового микроскопа, образцов целлюлозных тканей до и после испытаний на истирание при изгибе. Как видно из рисунка, необработанная ткань разрушается уже после 2000 циклов, в то время как привитой материал не разрушается даже после 24000 циклов. Прививка к целлюлозным волокнам синтетических полимеров облегчает удаление загрязнений, увеличивает стойкость к воздействию бактерий и плесени. Наряду с этим изделия из привитых целлюлозных волокон обладают улучшенным внешним видом благодаря повышенной несминаемости. В настоящее время практически все хлопчатобумажные изделия изготавливаются из обработанных, сшитых или привитых волокон. Наличие отчетливо выраженных областей стеклования в привитых материалах указывает на их двухфазную природу. [32]

Просвечивающие электронные микроскопы обладают более высокой разрешающей способностью по сравнению с растровыми микроскопами. Однако при использовании просвечивающих электронных микроскопов необходимо подготовить образцы толщиной менее 100 нм. В том случае, когда исследуемый элемент имеет многослойную структуру, приготовление образца представляет собой довольно сложную проблему; однако если это препятствие преодолено, то детали структуры образца можно изучать с разрешением, достигающим атомных размеров. В последние годы разработаны оригинальные методы приготовления образцов, которые позволяют исследовать морфологию и дефекты структуры на границе раздела двух слоев и в активной области элемента. [33]

Разработаны методы оценки качества фосфатного покрытия: структура, величина кристаллов на растровом микроскопе TESLA, качественный и количественный состав на рентгеноспектральном микроанализаторе СОМЕВАХ. Изучение состава и структуры фосфатного покрытия этими методами проводилось при фосфатировании изделий из чугуна и стали в растворах цинк -, марганец -, кальцийнитратфосфатных концентратов. Установлено, что по мере накопления железа в фоофа-тирующем растворе изменяется состав и структура фосфатного покрытия, его защитные свойства. [34]

Двойные микроскопы позволяют контролировать поверхности с шероховатостью Rz 60 - 2 мкм; растровые микроскопы ( например, модели ОРИМ-1) с R 40н - 0 6 мкм, микроинтерферометры ( например, модели МИИ-14) - поверхности с шероховатостью Rz 0 6 - 4 - 0 025 мкм. [35]

Схема растрового микроскопа. [36]

На основе этого явления предложена методика измерения высот неровностей и степени шероховатости с помощью растрового микроскопа. [37]

Использование микроскопов высокого разрешения позволяет наблюдать искривленность слоев и замерять межслоевое расстояние, а применение растрового микроскопа - исследовать макро - и микроструктуру таких углеродов, как активные угли, пено-коксы. [38]

Оценка сплошности покрытия и косвенные данные об адгезии покрытия к углеродному волокну были получены на основании проведенных электронномикроскопических исследований на растровом микроскопе JSM - U3 с разрешающей способностью 200 А. [39]

Разрушение образца из дисперсионно-твердеющего сплава на основе никель-хрома в контакте с серебряно-медным. [40]

Вид и расположение дефектов в покрытии оценивают с помощью оптических методов неразрушающего контроля, а глубину дефекта - специальными автоколлимационными, а также растровыми микроскопами, позволяющими осуществлять их телеграфирование. [41]

Однако в условиях опытов Сокилл а химические изменения азидов могли быть вызваны как повышением температуры кристаллов, так и первичным действием электронного пучка. В растровом микроскопе изображение получается подобно тому, как в телевизионной камере: электронный пучок, сфокусированный в пятно, диаметром около 200 А, быстро перемещается по объекту. Если последний имеет неоднородную структуру, то для разных участков будет различным количество возникающих вторичных электронов, которые используются для образования изображения при работе на отражение. Преимуществом растровой микроскопии является пониженная средняя интенсивность электронного облучения, что позволяет исключить возможность заметного нагревания препарата, недостатком - пока что низкое разрешение, которое в основном определяется диаметром пятна. [42]

Используются также растровые микроскопы с фотометром. [43]

В процессе обработки могут быть применены программные устройства для управления движениями стола и электронного пучка. Установка оснащена растровым микроскопом для контроля готовых изделии. [44]

Страницы: 1 2 3 4 5