Cтраница 4
Принцип работы растрового электронного микроскопа заключается в том, что, изменяя длину волны электронов, можно вызвать и зафиксировать или характеристическое рентгеновское излучение микрообъемов поверхности объекта, или поток вторичных электронов. Изображение в растровом микроскопе дается на экране катодно-лучевой трубки и синхронизировано со сканированием поверхности образца электронным лучом. [46]
Этих недостатков частично лишены методы сканирующей микроскопии, существенное преимущество которых состоит в исключении стадии сложного препарирования образцов. В последних моделях растровых микроскопов этот предел снижен до 20 А. [47]
Вертикальное увеличение должно быть наибольшим из возможных: профилограмма не должна выходить за пределы рабочей зоны ленты записывающего прибора профилографа; изображение профиля в оптических приборах не должно выходить за пределы поля изображения. Вертикальное увеличение микроинтерферометра и растрового микроскопа, определяемое через ширину полосы ( интерференционную, муаровую), выбирается, исходя из оптимального числа полос в поле изображения прибора. Горизонтальное увеличение при измерении параметра Яшах и Rz существенного значения не имеет. [48]
Вертикальное увеличение интерферометров и растровых микроскопов, определяемое через ширину полосы ( интерференционной, муаровой), выбирают исходя из оптимального числа полос в поле изображена прибора. [49]
Преобразование осуществляется синхронно с перемещением луча. Разрешение, достигаемое в растровых микроскопах, определяется диаметром сфокусированного луча, хотя и не равно ему в точности вследствие эффектов расширения электронного пучка на образце. [50]
![]() |
Электронные микроскопы. [51] |
Позволяют ( при ускоряющем напряжении 100 кВ) получать изображение с разрешающей способностью 0 2 - 0 5 нм ( 2 - 5 А), увеличением до 400 000 раз и наблюдать отдельные молекулы и молекулярные образования. Задачи наблюдения образца в целом решают растровые микроскопы, дающие объемное изображение. [52]
![]() |
Схема растрового электронного микроскопа. [53] |
Вторичные электроны, испускаемые поверхностью объекта, являются носителями топографической и структурной информации. На рис. 1.15 показана упрощенная схема растрового микроскопа. [54]
Хорошо видно существенное различие в микрогеометрии поверхности этих покрытий. Детальное изучение микроструктуры напыленных на подложки слоев осуществлялось с помощью электронного растрового микроскопа на специально изготовленных шлифах. На этом снимке отчетливо просматриваются форма деформированных частиц, их ориентация в слое и на контактной поверхности. [55]
Преимуществами автоэлектронных эмиттеров являются отсутствие энергетич. Автоэмиссионный эмиттер в качестве интенсивного точечного источника электронов применяется в растровых микроскопах. Он перспективен в рентгеновской и обычной электронной микроскопии, в рентгеновской дефектоскопии, в рентгеновских микроанализаторах и электронно-лучевых приборах. Автоэмиссионные эмиттеры могут также употребляться в микроэлектронных устройствах и в чувствит. [56]
![]() |
Зоны возбуждения и виды сигналов, возникающих при действии электронного зонда на поверхность и на тонкую пленку. [57] |
Уже есть приборы, регистрирующие одновременно несколько различных сигналов, например просвечивающие и одновременно растровые электронные микроскопы, позволяющие наблюдать дифракцию электронов, а также рентгеновские и электронные характеристические спектры. Имеются комбайны, сочетающие Оже-спектрометр, электронограф электронов низких энергий, растровый микроскоп и другие приборы. [58]
Отметим, что определение в новом стандарте классов 1 - 5, 13 и 14 через параметр Rz, а классов 6 - 12 - через параметр Ra произведено с учетом реальных возможностей измерения этих параметров имеющимися в настоящее время измерительными средствами. Так, профило-метры позволяют непосредственно измерить параметр Ra в пределах 6 - 12 классов; профилографы и оптические приборы одновременного преобразования профиля ( микроинтерферометры, приборы светового сечения, растровые микроскопы) позволяют измерить параметр Rz с наименьшей трудоемкостью. [59]
Объектом обработки воспроизведения профиля на бумаге могут быть профилограммы, полученные на щуповом профилографе, или фотографии профиля, полученные на двойном микроскопе ( приборе светового сечения), микроинтерферометре или растровом микроскопе. [60]