Эмиссионный микроскоп

Cтраница 3

Заметим мимоходом, что, как известно многим электрохимикам, подвижность атомов на поверхности может существенно возрасти при наложении электростатического поля. В эмиссионном микроскопе можно регулировать Е до тех пор, пока не будет получено стационарное изображение при температуре, при которой в отсутствие электростатического поля поверхностная диффузия должна изменить конфигурацию. [31]

Разрешающая способность эмиссионных микроскопов составляет 15 - 60 нм и изменяется в зависимости от способа возбуждения эмиссии. Так, эмиссионный микроскоп EF2 Z6 ( ГДР) при увеличении 200 - 3000х имеет разрешение при термоэмиссии 15 нм и при вторичной эмиссии электронов 30 нм. Объект в микроскопе разогревается до 2500 С. [32]

Поле над поверхностью.| Блок-схема электронного эмиссионного микроскопа. [33]

Микрополя выглядят светлыми на темном фоне, поэтому такой метод наблюдения называется методом темного поля. Для реализации этого метода в конструкции эмиссионного микроскопа предусматривается перемещающаяся во всех направлениях апертурная диафрагма. [34]

В критическом обзоре ГЬшли показано, что явление псевдоморфизма не имеет точного экспериментального подтверждения, так как многие исследователи представили доказательства против него. Недавно Джонс [70] при работе на эмиссионном микроскопе показал, что несколько первых атомных слоев меди, осажденной на вольфраме в высоком вакууме, являются псевдоморфными Шиллер и Фарнсворт [71] при исследовании с помощью метода дифракции электронов малой энергии такого слоя не обнаружили. Совсем недавно Джессер в Мэтьюз [72 - 75] провели изучение роста монокристаллических пленок железа и кобальта на поверхностях ( 100) меди, хрома на поверхностях ( 001) никеля при комнатных и повышенных температурах в высоком вакууме. Они подтвердили псевдоморфный рост железа, кобальта и хрома. Подробности исследований псевдоморфного роста приведены в разд. Хотя по исследованию явления псевдоморфизма работ и немного, однако существует достаточно доказательств того, что материал пленки становится напряженным, так что параметры ее решетки не точно соответствуют параметрам решетки соответствующего ненапряженного монокристалла. Измерения параметров решетки, проведенные Ньюманом и Пэшли [76], для меди, осажденной в вакууме, и химически выраженных пленок AgBr на подложках ( 111) серебра показали, что параметры решетки пленок и AgBr были на 0 75 и 0 50 % меньше, чем параметры соответствующего монокристалла. Эти результаты показывают, что напряжения изменяли параметры решетки пленки, приближая их к параметрам подложки. [35]

Теплота хемосорбции зависит также от ориентации поверхности. Качественно эта закономерность вполне отчетливо демонстрируется полученными в эмиссионном микроскопе изображениями металлов, на поверхности которых адсорбированы различные атомы. На эмиссионном изображении отчетливо видны различные ориентации кристаллитов металлического образца. [36]

Теплота хемосорбщии зависит также от ориентации поверхности. Качественно эта закономерность вполне отчетливо демонстрируется полученными в эмиссионном микроскопе изображениями металлов, на поверхности которых адсорбированы различные атомы. На эмиссионном изображении отчетливо видны различные ориентации кристаллитов металлического образца. [37]

Главной задачей при разработке ЭОП является устройство электронно-оптической системы, с помощью которой электронное изображение в неискаженном по возможности виде переносится с фотокатода на экран. Качество изображения на экране, как и в случае эмиссионного микроскопа, зависит от наименьшего разрешаемого расстояния. [38]

Умелое использование новейшей экспериментальной техники ( автоэлектронный эмиссионный микроскоп [1-3], инверсионный ионизационный манометр [4], новейшая высоковакуумная техника [5]) способствует выяснению связи между структурой поверхности и хемосорбцией газа металлом. Настоящая работа посвящена систематическому исследованию адсорбции азота вольфрамовым острием автоэлектронного эмиссионного микроскопа при достаточно низком давлении, для того чтобы можно было изучить асе стадии адсорбции - от первоначальной быстрой реакции до конечных стадий хемосорбции. [39]

Я хотел бы узнать, какой интенсивности можно получить поток ионов по упомянутой докладчиком схеме, при которой в качестве источника ионов используется эмиссионный микроскоп. [40]

На этом явлении основывается полевой эмиссионный микроскоп, более подробно о котором будет сказано ниже в этой главе. [41]

В этом случае используют то обстоятельство, что различные грани кристаллов имеют разную работу выхода и по-разному адсорбируют атомы покрытия. К микроскопам ЭМ-100 и УЭМ-100 разработаны специальные эмиссионные головки, которые можно ставить на место осветительной части и столика объекта, превращая тем самым эти приборы в эмиссионные микроскопы. Кроме того, построен и специальный эмиссионный электронный микроскоп ЭЭМ-75 ( рис. 265) с наименьшим разрешающим расстоянием до 500 А, удобный для исследования термоэлектронной и вторичноэлектронной эмиссии. [42]

Для решения ряда специальных задач служат разнообразные, но менее распространенные типы электронных микроскопов. Отражательный микроскоп имеет повышенную чувствительность контраста изображения к тонким деталям микрорельефа; при этом исключается контраст по напряжению, что позволяет разделить эти эффекты. Теневая микроскопия применяется для исследования деталей топографии поверхности с разрешением до нескольких десятков нанометров. Эмиссионный микроскоп дает возможность исследовать поверхность твердого тела в широком интервале температур; при этом извлекаются данные о коэффициентах вторичной электронной и ионно-элект-ронной эмиссий. С помощью эмиссионной микроскопии изучают изменение характеристик вещества при фазовых переходах, кинетику твердофазных реакций и другие процессы. [43]

Возможности оптической микроскопии, широко применяемой в металлографии, ограничены относительно небольшим увеличением ( примерно в 2000 раз), малой разрешающей способностью. От этих недостатков свободны электронные микроскопы, которые позволяют получить увеличение до 100000 раз и более. В то же время при необходимости они могут применяться и при относительно небольших увеличениях, но с большей разрешающей способностью по глубине, позволяющей получить объемно-рельефное изображение. Существуют несколько видов электронных микроскопов просвечивающего и отражающего типа и эмиссионные микроскопы. Техника электронной микроскопии своеобразна, но в настоящее время хорошо разработана. Ее применение самостоятельно или в сочетании с другими методами ( электронография, рентгеноструктурный анализ) позволяет получить богатую информацию о тонком строении материалов и эмиссионных характеристиках поверхности. [44]

Известен ряд других способов измерения низких давлений. Основой некоторых из них является использование изменения физических констант чистой металлической поверхности при заполнении ее слоем адсорбированных газов. Не останавливаясь подробно на изложении этих способов, так как они не нашли широкого применения, перечислим лишь те, с помощью которых может быть оценена степень вакуума. К ним относится наблюдение за изменением работы выхода электронов с поверхности металла. В работе [146] описывается применение эмиссионного микроскопа с холодным катодом для определения состояния вакуума. [45]

Страницы: 1 2 3 4