Сканирующий микроскоп
Cтраница 4
Идентификация твердых фаз, входящих в исследуемую систему, с помощью дифракции электронов часто бывает очень полезной. Кроме того, процесс наблюдения поверхности зерен в электронном сканирующем микроскопе может быть дополнен количественным элементарным микроанализом, если в аппаратуру включить рентгеновский спектрометр с пропорциональным счетчиком. Такое сочетание, использующее принцип микрозонда Кастэнга [55], позволяет производить либо точечный анализ серии элементов, либо распределение одного из элементов вдоль линии сканирования. Исследования порошкообразных образцов с помощью этого метода могут стать хорошим дополнением к собственно кинетическим измерениям. [46]
Электроны в полупроводниках при Г 0 К способны просачиваться без сопротивления через энергетические барьеры. Использование туннелированных электронов в вакууме лежит в основе работы туннельных сканирующих микроскопов, дающих возможность обнаруживать отдельные атомы ( см. рис. 2.11), и приборов туннельной спектроскопии. [47]
На основании имеющихся данных о положительном влиянии окисления на прочность волокна можно считать, что эта обработка вскрывает дефекты ( см. рис. 9 - 20 6), находящиеся под поверхностным слоем, одновременно удаляя часть из них. Кроме того, на основании наблюдений глубокого окисления углеродных волокон на сканирующем микроскопе можно считать, что преимущественно удаляются участки неорганизованного углерода, принадлежащие прежде всего аморфному полимеру, и поверхностные отложения. [49]
При использовании перечисленных выше приборов анализ изображения дефектов ведет оператор. В последнее время получают распространение телевизионные, а также лазерные проекционные и сканирующие микроскопы, в которых изображение дефекта визуализируется на экране видеоконтрольного устройства. [50]
Исследования были проведены в лаборатории микроскопических исследований Института сверхпластичности металлов РАН на электронном сканирующем микроскопе JSM - 840M японской фирмы JEOL с применением регистрирующего рентгеноструктурного микроанализатора LIMK-860. Сравнение элементного состава кольматанта с составом поверхности твердой фазы коллектора было проведено по десяти наиболее часто встречающимся элементам. [51]
Преимуществом растровых или сканирующих микроскопов является возможность исследовать непосредственно поверхность излома без использования промежуточных реплик, высокая при-цельность и получение объемных изображений. Перспективным является также изучение с помощью сканирующих микроскопов предварительно травленой поверхности излома и особенно совмещение сканирующего микроскопа с микроанализатором. Сканирующие микроскопы обладают меньшей, чем просвечивающие микроскопы, разрешающей способностью и, как правило, меньшей контрастностью изображения. [52]
Поскольку поверхности излома в композиционных материалах обычно очень неровные и имеют глубокие борозды, большая глубина резкости сканирующего микроскопа является ценным качеством. Исследования Садиса, Брей-нена и Крейдера [3], Прево и Крейдера, Олстера и Джонса [27], Хенока и Свенсона [15] графически иллюстрируют потенциальные возможности прибора. Отмечается контраст между пластичным сдвигом в алюминии и стеклообразным характером разрушения бора. Глубина поверхности излома зависит от напряжения сдвига матрицы или прочности связи на поверхности раздела волокно - матрица. [53]
Преимуществом сканирующих микроскопов при изучении поверхностей является то обстоятельство, что благодаря значительной глубине резкости ( в несколько сот раз выше, чем у обычных микроскопов) удается достигнуть четкого изображения шероховатых и грубых поверхностей. В качестве примера на рис. III.3 ( см. вклейку) приведена фотография [260] поверхности биологического объекта, выполненная с помощью сканирующего микроскопа. [54]
Эта методика оказалась достаточно эффективной также при изучении сколов в кристаллах и пористых поверхностей [11 ], так как при осмотре поверхности кристалла сканирующим лучом можно выбрать любой участок поверхности и наблюдать его при увеличении от 50 до 10 000 раз без дополнительной фокусировки. К сожалению, до сих пор в научной литературе отсутствуют работы по изучению микрорельефа глинистых минералов и их органических производных с помощью сканирующего микроскопа. [55]
Прямое использование теоремы взаимности [93-96] показывает, что при одинаковой геометрии контраст изображения и разрешение СПЭМ должны в принципе оставаться такими же, как в обычном микроскопе. Крю и Уолл [105] показали, что на практике это именно так; они получили разрешение около 5 А и наблюдали в сканирующем микроскопе, работающем при энергии - 20 кэВ, обычный контраст, связанный с дифракцией Френеля и Фраунго-фера. [56]
Страницы: 1 2 3 4