Интегральная микроэлектроника

Cтраница 1

Интегральная микроэлектроника продолжает развиваться в направлении повышения степени интеграции микросхем как за счет увеличения размеров кристалла, так и в основном за счет уменьшения размера элементов ИМС. В современных БИС и СБИС размеры элементов составляют 3 - 2 мкм. В ближайшем будущем размеры элементов топологии СБИС достигнут 1 мкм. Ведутся исследования по освоению субмикронных размеров. Эти исследования показали, что пределом уменьшения размеров элемента топологии ( ширина линий, зазоров между ними и др.) является значение 0 2 мкм. Однако при достижении таких размеров элементов возникнут определенные технологические ограничения. [1]

Устройство микромодуля. [2]

Интегральная микроэлектроника - это направление, отличающееся тем, что построение микроминиатюрных схем производится из элементов, выполненных на поверхности, или в объеме твердого тела ( подложки) и эквивалентных обычным радиоэлементам. [3]

Полупроводниковая интегральная микроэлектроника и некоторые тенденции - ее развития. [4]

Однако возможности интегральной микроэлектроники все же ограничены. Дальнейшее увеличение степени интеграции затруднено по ряду технических и экономических показателей. Кроме того, усложнение БИС приводит к потере универсальности. Вновь возникает проблема надежности в связи с резким ростом числа внутренних соединений БИС. [5]

В основе интегральной микроэлектроники лежит использование ИС и больших интегральных микросхем ( БИС), применение групповых методов изготовления, машинных методов проектирования ТП изготовления и контроля. [6]

Параллельно с интегральной микроэлектроникой начинает развиваться функциональная микроэлектроника, основанная на использовании физических принципов интеграции и динамических неоднородностей, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы приборов и устройств. Если схемная интеграция позволяет выделить в ИМС простые функциональные элементы путем удлинения проводных линий связи, то функциональная интеграция обеспечивает функционирование прибора как единого целого, и его нельзя разделить на элементы без нарушения функционирования. [7]

Основной тенденцией развития интегральной микроэлектроники является совершенствование и применение новых технологических процессов с целью уменьшения геометрических размеров структурных элементов ИМС и повышения степени интеграции. Однако уменьшение размеров элементов имеет технические пределы и ограничения с экономической точки зрения. [8]

К важнейшим проблемам интегральной микроэлектроники еле - дует отнести также поиски принципиально новых методов теплоот-вода, прогнозирование надежности микросхем, создание оптимальных рядов интегральных микросхем, в том числе больших интегральных схем, расширение температурного интервала работы и повышение радиационной стойкости элементов микросхем, развитие научных основ электронно-ионной технологии. [9]

Зависимость выхода годных струк. [10]

Важнейшей тенденцией развития интегральной микроэлектроники является повышение степени интеграции микросхем. Однако увеличение числа элементов в микросхеме существенно зависит от достигнутого уровня технологии, характеризуемого выходом годных структур на кремниевых пластинах. [11]

Магнитограмма тестовой проверки релейной защиты. [12]

Защита на основе интегральной микроэлектроники открывает новые возможности по созданию проверочных устройств. [13]

Таким образом, и интегральная микроэлектроника имеет в своем развитии предел, ограниченный, по-видимому, 10е отдельными элементами на одной кремниевой пластине диаметром до 60 мм. [14]

Начало исследований в области интегральной микроэлектроники относится к 1959 г. В 1963 г. уже около 70 фирм начали производство различных типов микросхем. Первая интегральная схема, выпущенная в 1960 г., стоила 450 долларов, а уже в 1962 г. было продало 50000 схем по цене 40 долларов за схему. [15]

Страницы: 1 2 3 4