Интегральная микроэлектроника

Cтраница 2

Таким образом, в основе интегральной микроэлектроники лежит принцип воспроизведения исходной дискретной схемы в виде интегральной схемы, содержащей все элементы исходной. Это приводит по мере усложнения операции, выполняемой микросхемой, к увеличению числа отдельных элементов, что имеет свой предел, обусловленный целым рядом физических факторов. Прежде всего, это связано с отводом тепла из микросхемы. Дело в том, что существует некоторое минимальное значение энергии, потребляемой активными компонентами микросхемы, ниже которого микросхема работать не может. Вследствие этого при увеличении ( в некотором объеме полупроводника) числа отдельных компонентов микросхемы ( сопровождаемое уменьшением их размеров) возрастает и потребляемая энергия питания и повышается выделение тепла, отвод которого - очень непростая задача. Помимо этого, уменьшение размеров сопровождается увеличением сопротивления токопроводящих металлических полосок, соединяющих отдельные компоненты, что может привести к нарушению режима работы. [16]

Устройства релейной защиты, использующие интегральную микроэлектронику ( ИМЭ), требуют источников питания с постоянным напряжением нескольких уровней и высокой степенью его стабилизации, особенно для измерительных органов. Так, например, для широко применяемых в настоящее время операционных усилителей ( ОУ) требуется напряжение 15 В, логические интегральные микросхемы ( ИМС) выпускаются на напряжение питания 4 - 5, 9, 15 В. [17]

Наибольшее развитие в настоящее время получила интегральная микроэлектроника, на базе которой разработаны и освоены в серийном производстве многие типы интегральных микросхем. Развитие функциональной микроэлектроники только началось и перспективы ее весьма заманчивы. [19]

Полупроводниковые ИМС являются наиболее массовыми изделиями интегральной микроэлектроники. Поэтому контроль их качества в процессе ироизводства является решающим фактором, обеспечивающим высокую надеж-нюсть ИМС. [20]

Как известно [22], в технике интегральной микроэлектроники под операционным усилителем ( ОУ) понимается специализированный интегральный усилитель постоянного тока с очень высоким коэффициентом усиления, позволяющим реализовать сильную отрицательную обратную связь. [21]

Основной элементной базой современной дискретной техники является интегральная микроэлектроника. Огромные успехи, достигнутые интегральной полупроводниковой микроэлектронной технологией, позволили создать приборы, по всем параметрам превосходящие изделия сходного назначения, собранные на отдельных компонентах. Переход к интегральным микросхемам существенно изменил способы построения электронной аппаратуры, поскольку изделия микросхемотехники представляют собой законченные функциональные узлы, будь то логические элементы для выполнения простейших операций или процессоры вычислительных машин, состоящие из многих тысяч элементов. [22]

Таким образом, существуют физические пределы развития интегральной микроэлектроники. [23]

Поэтому из различных областей микроэлектроники наиболее эффективной оказалась интегральная микроэлектроника, которая является одним из главных направлений современной электронной техники. В настоящее время широким фронтом ведутся исследования и разработка интегральных схем - полупроводниковых ( твердых), тонкопленочных и гибридных. Помимо резкого уменьшения размеров электронного оборудования и повышения его надежности, интегральная микроэлектроника дает возможность изготовления отдельных функциональных узлов в автоматизированном непрерывном технологическом процессе. [24]

Целесообразность автоматизации и широкие возможности ее, даваемые транзисторной интегральной микроэлектроникой, проявилась, в частности, в новейших конструкциях автомобильных приемников и в тенденциях их дальнейшего развития. [25]

Все физические явления и процессы, которые используются в интегральной микроэлектронике, можно разделить на две группы. Первую группу составляют физические явления и процессы, которые возникают и протекают в полупроводниковых и - пленочных структурах и положены в основу принципов работы различных приборов, интегральных микросхем и их элементов. К ним относятся: явления перенос а носителей заряда в полупроводниках ( кинетические); контактные явления в структурах полупроводник-металл, полупроводник-полупроводник и др.; электронные процессы на поверхности полупроводников; оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках; размерные эффекты и различные механизмы токопрохождения в пленочных структурах; физические явления в ферромагнитных пленках. [26]

Необходимо также учитывать, что промышленности, перешедшей на широкое использование интегральной микроэлектроники, более удобно создавать защиты от перегрузок с применением подходов, освоенных, например, для защит от перегрузок синхронных генераторов ( см. гл. В результате датчики с позисторами в отечественной практике широкого применения не получили, хотя внедряемые защиты на микроэлектронной элементной базе ( см., например, [75]) несмотря на сложность выполнения также имеют ряд недостатков. [27]

Внешний вид малогабаритных переключателей. а-мпн, б-мпв. [28]

Микроэлектронные функциональные узлы могут быть двух видов: разработанные на основе интегральной микроэлектроники и разработанные на основе функциональной электроники. [29]

Появление этого класса средств измерений вызвано, прежде всего, быстрым развитием интегральной микроэлектроники - появлением больших ( БИС) и сверхбольших ( СБИС) интегральных схем, а также микропроцессоров, которые стали основой новых поколений средств вычислительной техники, аппаратуры связи и др. Вероятно, в радиоизмерительную технику микропроцессоры пришли раньше, чем в другие радиоэлектронные устройства. Применение БИС, в том числе микропроцессоров, расширяет функциональные возможности радиоэлектронных устройств, обеспечивает их автоматизацию. Вместе с тем контроль при эксплуатации радиоэлектронных устройств с широким применением БИС, СБИС и микропроцессоров становится достаточно сложным, так как в одной БИС сконцентрированы десятки тысяч ( а в ближайшие годы-сотни тысяч) отдельных элементов, объединенных в схемы, играющие роль сложных блоков. Доступ к контрольным точкам в БИС практически невозможен. [30]

Страницы: 1 2 3 4