Емкость - эмиттерной переход
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схе-ма эмиттерного повторителя. [1] |
Емкость эмиттерного перехода С9б, хотя и превышает емкость С, играет роль только на очень высоких частотах, так как она включена параллельно малому сопротивлению эмиттерного перехода га. [2]
 |
Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора во времени в период включения ( а и кривые изменения тока и напряжения в период включения тиристора через анод ( б. [3] |
Емкости эмиттерных переходов хотя и велики, но меньше влияют на переходный процесс, поскольку напряжения, воспринимаемые ими, весьма малы. [4]
Емкость эмиттерного перехода в сплавных транзисторах шунтируется малым сопротивлением эмиттерного перехода гэ, поэтому ее влиянием можно пренебречь. [5]
Емкость эмиттерного перехода С - емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. [6]
Емкость эмиттерного перехода совместно с распределенным сопротивлением материала базы rg является основной причиной частотной зависимости токов транзистора. Кроме того, на сопротивлении гб бесполезно тратится часть подводимого к базе внешнего напряжения UQ, в результате чего напряжение на эмиттерном переходе оказывается ослабленным. [7]
Емкость эмиттерного перехода ( барьерная) Ся. Емкость эмиттерного перехода шунтируется малым сопротивлением га и оказывает слабое влцяние на работу в диапазоне высоких частот. [8]
Емкость эмиттерного перехода Сэ - емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. [9]
Рассмотрим влияние емкости Сэ эмиттерного перехода. Это объясняется тем, что емкость Сэ зашунтирована сопротивлением эмиттерного перехода ra, имеющим очень малую величину. Сопротивление 1 / соСэ начинает оказывать влияние только на очень высоких частотах, где оно становится соизмеримым с гэ. На этих частотах транзистор обычно не работает, так как емкость Ск почти полностью шунтирует генератор тока / г. Из этого следует, что влиянием емкости Сэ на частотные свойства транзистора можно пренебречь. [10]
В дрейфовых транзисторах емкость эмиттерного перехода ниже, чем в сплавных транзисторах, поэтому эффект падения коэффициента инжекции Y с ростом частоты менее заметен. [11]
 |
Эпюры токов в цепях базы ( я и коллектора ( в и кривые распределения неосновных носителей в базе транзистора ( б. [12] |
По мере заряда, емкости Сэ эмиттерного перехода он открывается все больше, концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода растет ( кривые 2, 3, 4 на рис. 12 - 19, б), увеличивается и ток коллектора. [13]
 |
Эпюры токов в цепях базы ( я и коллектора ( в и кривые распределения неосновных носителей в базе транзистора ( б. [14] |
По мере заряда, емкости Сэ эмиттерного перехода он открывается все больше, концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода растет ( кривые 2, 3, 4 на рис. 12 - 19, б), увеличивается и ток коллектора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5