Емкость - эмиттерной переход
Cтраница 3
 |
Зонная структура солнечных гетерофотоэлемснтов. а - структура с промежуточным варизонным слоем. б - структура с промежуточным преобразованием КВ-света в люминесцентное. [31] |
В гетеротранзисторах базовая область может быть легирована сильнее эмит-терной, что, уменьшая сопротивление базы и емкость эмиттерного перехода, повышает быстродействие. Для предотвращения инжекции дырок в коллектор, затягивающей время рассасывания, в импульсных гетеротранзисторах наряду с пгирокозонным эмиттером используется н широкозонный коллектор. В полевых транзисторах на ДГ с узкозонным каналом за счет электронного ограничения улучшаются шумовые характеристики, а шнрокозонгтый затвор улучшает управление каналом. [32]
 |
Эквивалентная схема транзистора в виде четырехполюсника. [33] |
Емкость Ск на эквивалентной схеме рис. 14, а отражает емкость коллекторного перехода, емкость С в - емкость эмиттерного перехода. Влияние емкости Ск сказывается при работе в области частот порядка десятков килогерц, емкости Са6 - порядка сотен килогерц. [34]
При нахождении зависимости коэффициента передачи транзистора от частоты в схеме с общей базой учитывают действие трех факторов: емкости эмиттерного перехода, времени пролета через базу и времени пролета через коллекторный переход. [35]
Крутой передний фронт отрицательного импульса тока управления ускоряет процесс-запирания тиристора, так как в этом случае происходит разряд емкости эмиттерного перехода / 3 с отводом заряда ее в цепь управляющего электрода. [36]
Так как сплавные транзисторы характеризуются, как правило, большими значениями емкости коллекторного перехода Ско по сравнению с емкостью эмиттерного перехода Сэо, то для нормального включения транзистора / ср оказывается больше, чем для инверсного как при однополярном, так и при двухполярном управлениях. В качестве примера на рис. 2 - 33 показаны кривые переходного процесса при запирании сплавного транзистора в случае однополярного управления. Как уже отмечалось, величина источника / ср определяется площадью, ограниченной кривой переходного процесса, которая на приведенном рисунке при нормальном включении оказывается больше, чем при инверсном. [37]
 |
Временные диаграммы для схемы, приведенной на 4 - 28. [38] |
Так как на вход транзисторного ключа подается напряжение обратного смещения, чтобы удерживать его в закрытом состоянии, то емкость эмиттерного перехода заряжена этим смещением. [39]
Время задержки обусловлено диффузией ( или дрейфом) носителей заряда от эмиттерного перехода к коллекторному, а также зарядом емкости эмиттерного перехода. [40]
Однако здесь возникают трудности при необходимости компенсации помехи в широком интервале изменения температуры окружающей среды ввиду различного закона изменения емкости эмиттерного перехода и С4 от температуры. [41]
Изопланар-1 характеризуется тем, что диэлектрик непосредственно охватывает область базы с трех сторон, исключая боковую составляющую барьерной и диффузионной емкостей эмиттерного перехода ключевого п - р - п-транзистора. Кроме улучшения динамических характеристик данное конструктивно-технологическое решение обеспечивает более высокие значения коэффициента передачи тока эмиттера п - р - п-транзистора а за счет увеличения соотношения коллекторной и эмиттерной областей. Изолирующий диэлектрик получают как путем окисления кремния, так и с помощью процессов анодирования. [42]
Кроме того, расстройка коллекторного контура ( cpj 35) при соро / шг 3 приводит к положительной обратной связи через емкость эмиттерного перехода. Эта емкость, как следует из рис. 1.15, а и из ( k59), является элементом связи между цепями возбуждения и нагрузки. Произведение первой гармоники напряжения на этой емкости U31 на ток / г имеет действительную составляющую, определяющую активную мощность, передаваемую по этому каналу связи. [43]
При переходе к режиму насыщения эмиттерный переход открывается, толщина перехода и его нескомпенсированный заряд уменьшаются, происходит как бы разряд емкости эмиттерного перехода. [44]
Опыт показывает, что второй отпирающийся триод не вносит существенного влияния; по-видимому, это связано с тем, что его входное сопротивление в начале процесса очень велико; велика и емкость эмиттерного перехода, благодаря чему отпирание триода идет относительно медленно. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5