Емкость - эмиттерной переход
Cтраница 2
Сэп - собственная ( барьерная) емкость эмиттерного перехода; ш - граничная частота по крутизне внутреннего транзистора. [16]
 |
Распределение примесей в микросплавном транзисторе с однородной базой. Э - эмиттер.| Распределение примесей в микросплавном.| Выходные характеристики транзистора. [17] |
Время задержки т3 зависит от величины емкости эмиттерного перехода и обычно составляет незначит. Время рассасывания тр определяется зарядом, накопленным в базовой и коллекторной областях транзистора, их размерами, временем жизни носителей заряда в этих областях и особенно условиями запирания. [18]
Элементы этой схемы: сопротивление Гб, емкость эмиттерного перехода и суммарная емкость коллекторного перехода - могут быть получены непосредственными измерениями либо из справочных данных. [19]
При анализе каскада с ОЭ с действием емкости эмиттерного перехода Сэ можно не считаться, так как постоянная заряда этой емкости ( Сэгэ та) пренебрежимо мала. Не учитывается также влияние выходной емкости источника сигналов Сг. ОЭ достигает заметного значения. [20]
Сотни или тысячи пико-фарад и превосходит по величине емкость эмиттерного перехода. Диффузионная емкость коллектора составляет единицы пикофарад и ею, как правило, пренебрегают. [21]
Поскольку емкость Ско у несимметричных сплавных транзисторов превышает емкость эмиттерного перехода Сэо, то величина источника Ucp для транзистора в инверсном включении может несколько превышать величину этого источника для транзистора в нормальном включении. [22]
 |
Устройство ( а и схема включения ( б фототранзистора.| Вольт-амперные характеристики фототранзистора. [23] |
Частотные характеристики фототранзисторов значительно хуже частотных характеристик фотодиодов за счет емкости эмиттерного перехода. Граничная частота фототранзистора составляет обычно несколько килогерц. [24]
Входная емкость модулятора Тг со стороны базы приблизительно равна сумме емкости эмиттерного перехода и коллекторной емкости, умноженной на усиление по напряжению. Если усиление изменяется вследствие модуляции рабочей точки транзистора, входная емкость также меняется, чем и достигается частотная модуляция. На частоте 772 кгц получается частотный сдвиг 420 кгц с неплохой линейностью. [25]
В дрейфовых транзисторах C3SjCK и время задержки включения определяется главным образом емкостью эмиттерного перехода. [26]
Условия смещения рабочей точки транзисторов с секционированной1) базой, в которых емкость эмиттерного перехода имеет заметную величину, несколько отличаются от описанных выше. В этих типах транзисторов частота отсечки зависит от эмиттерного тока в большей степени, чем в обычных транзисторах с малой емкостью перехода. Частота отсечки в этих типах транзисторов возрастает с эмиттерным током до тех пор, пока влияние емкости перехода не становится значительно меньше влияния диффузионной емкости ( пропорциональной IE) или пока к этому не приводят эффекты, связанные с высокими уровнями. Принимая во внимание эти особенности частотной характеристики, при анализе уравнения ( 3 - 0.19) можно сделать вывод, что для обеспечения минимального коэффициента шума в транзисторах этого типа необходим больший эмиттерный ток. Оба типа транзисторов требуют высокого коллекторного напряжения, поскольку при этом возрастает частота отсечки. [27]
Интервал t - / 2 - время задержки - определяется временем заряда емкости эмиттерного перехода и временем диффузионного перемещения в базе инжектированных носителей. [28]
 |
Пример распределения линий тока в базовой области. [29] |
Основанием для этого утверждения служит анализ распределения переменного тока, втекающего в область базы через емкость эмиттерного перехода и вытекающего через базовый контакт. В качестве иллюстрации на рис. 2.50 показано распределение линий тока в области базы. Для наглядности пропорции реальной транзисторной структуры искажены. При выполнении неравенства ( огбСэ - 1 можно считать, что емкостной ток втекает в область базы равномерно, а линии тока в точности повторяют линии тока / э ( 1 -а) при работе транзистора в активном режиме. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5