Множество - дефект
Cтраница 2
Исследование толстых ( 1 - 2 мк) пленок методами отражающей электронной микроскопии свидетельствует о наличии в них множества дефектов упаковки. Вместе с тем они получили поликристаллические конденсаты InSb стехиометриче-ского состава и детально изучили их структуру и свойства в зависимости от температуры конденсации. [16]
При быстром ( 0 4 МПа / мин) уменьшении давления на поверхности и в объеме резиновых образцов образуется множество дефектов: микротрещин, пор, вздутий, наплывов. [18]
Исследования, проведенные в ИПТЭР и других институтах, показывают, что в металле труб и на их стенках имеется множество дефектов технологического происхождения. В момент производства согласно СНиП 2.05 - 06.85 эти трубы были рассчитаны только на статическую прочность. Известно, что большая часть дефектов труб практически не чувствительна к статическому разрушению и весьма чувствительна к циклическому. Следовательно, так называемые допустимые, т.е. неопасные дефекты, оставленные на стенках труб согласно старым нормативным документам, являются при определенных условиях опасными концентраторами напряжений. При длительной эксплуатации НП эти дефекты становятся источниками зарождения усталостных трещин. [19]
В ряде случаев замечено, что если соединение неустойчиво и разлагается, пусть с небольшой скоростью, то кристаллы растут медленно, со множеством дефектов. [20]
В первую очередь будет растворяться дисперсная ( о-фаза, так что вскоре после активации с раствором будет контактировать очень развитая поверхность р-фазы со множеством дефектов, имеющая в связи с этим повышенную активность. Это предположение подтверждается сравнением эмпирических энергий активации ( см. рис. 6.1), которые для сплавов со структурами р а, р со и р равны соответственно: 2 5; 4 6; 4 9 кДж / г-атом. Несмотря на практически одинаковую энергию активации для р - и р ш-сплавов, скорости коррозии отличаются примерно на порядок, формально это может быть объяснено большим предэкспоненциальным членом в уравнении Аррениуса в случае ( З со-сплава. Как известно [528], в пред-экспоненциальный член уравнения Аррениуса для гетерогенных реакций обязательно входит суммарная площадь активных центров на поверхности твердой фазы. В рассматриваемом случае под активными центрами следует понимать, например, атомы, расположенные на неукомплектованных поверхностях решетки и поэтому менее прочно с ней связанные. Таких атомов в решетке [ i-фазы образуется много после растворения ю-фазы. В связи с этим при прочих равных условиях увеличение пред-экспоненциального члена подтверждает участие значительно большей поверхности во взаимодействии р ю-сплава с агрессивной средой, чем в случае - сплава. [21]
 |
Схемы возникновения дефектов в кристаллах. [22] |
Объяснение этому расхождению теории и практики было найдено лишь сравнительно недавно, в 1949 г. Легкость, с какой начинается застройка новой атомной плоскости, оказалось возможным объяснить тем, что реальные кристаллы имеют множество дефектов структуры. [23]
При больших V3 поперечная компонента напряженности электрического поля в канале становится достаточной для того, чтобы носители, движущиеся от истока к стоку, отклонялись к поверхности. Реальная поверхность полупроводника имеет множество дефектов, шероховатая, следовательно, различные носители отражаются от нее под разными углами, что эквивалентно появлению дополнительного механизма рассеяния. Поэтому отклонение носителей к поверхности приводит к уменьшению подвижности. [24]
Кристаллическая структура, примеси и поверхностные состоя ния. Хотя в окисном слое имеется множество различных кристаллических дефектов, но если они не оказывают электрического влияния на действие ИС, то сам факт их существования не составляет проблемы. Однако на практике имеется множество разнообразных, электрически заряженных дефектов, оказывающих значительное отрицательное влияние. [25]
Структуры реальных кристаллов зависят от условий кристаллизации и сильно отличаются от соответствующих структур идеальных кристаллов. В решетке реального кристалла обычно имеется множество дефектов, нарушающих правильное чередование образующих ее элементов. Такие дефекты называют дислокациями. Сама решетка может быть искаженной. Кроме того, реальные кристаллы имеют поры, трещины и другие дефекты, не относящиеся к решетке. Габитус ( внешний облик, форма) кристаллов зависит от многих условий кристаллизации и прежде всего от влияния тех или иных примесей. [26]
Эта простейшая картина описывает самодиффузию атома вдоль идеальной поверхности. В реальности на поверхности всегда существует множество дефектов атомарного масштаба ( рис. 5.7), поэтому для поверхностных атомов имеется много различных позиций, куда можно диффундировать. [28]
В первой дислокационной модели предполагается правильное распределение моноатомных ступеней на поверхности растущего кристалла, что проявляется в образовании гладкой поверхности. В действительности, однако, поверхность содержит множество дефектов, которые при росте приводят к возникновению шероховатой поверхности. Структура поверхности обусловливает движение слоев и, следовательно, скорость роста. [29]
Страницы: 1 2 3 4