Емкость - эмиттер
Cтраница 1
 |
Полная физическая эквивалентная схема полупроводникового триода. [1] |
Емкости эмиттера зашунти-рованы весьма малым сопротивлением, И ПОЭТОМУ ТОК / 63 вплоть до самых высоких частот мал по сравнению с / 62, несмотря на большую величину емкости. Для коллекторного перехода наблюдается обратное явление - из-за большой величины гк значительная часть тока коллектора проходит через Ск уже при частотах порядка звуковых. [2]
 |
Высокочастотная эквивалентная схема полупроводникового триода. [3] |
Наконец, емкости эмиттера можно исключить ввиду того, что они шунтированы малым сопротивлением эмиттера. [4]
 |
Расчетные значения g ( л для сплавного ( gj и диффузионного (. 2 транзисторов. [5] |
Сэо - емкость эмиттера, измеренная при нулевом смещении на эмиттерном переходе. [6]
Если пренебречь влиянием емкости эмиттера, то ток на эмиттерном переходе ДУэ6 безынерционно следует за разностью потенциалов на этом переходе, и соотношение (78.5) между ДУэ6 и Дсрэ6 имеет место и в нестационарном режиме. [7]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера. [8] |
Таким образом, наличие емкости эмиттера приводит к тому, что инжекция носителей в базу как бы замедляется, а если сигналы следуют один за другим через интервалы времени, сравнимые с этим замедлением, соответствующие пакеты инжектированных носителей заряда сливаются. [9]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера.| Искажение сигнала при прохождении носителей заряда через базу транзистора. [10] |
Таким образом, наличие емкости эмиттера приводит к тому, что инжекция носителей в базу как бы замедляется и, если сигналы следуют один за другим через интервалы времени, сравнимые с этим замедлением, соответствующие пакеты инжектированных носителей заряда будут сливаться. [11]
 |
Искажение сигнала из-за влияния барьерной емкости эмиттера.| Искажение сигнала при прохождении неосновных носителей заряда через базу. [12] |
Таким образом, наличие емкости эмиттера приводит к тому, что инжекция носителей в базу как бы замедляется, а если сигналы следуют один за другим через интервалы времени, сравнимые с этим замедлением, соответствующие пакеты инжектированных носителей заряда сливаются. [13]
Как уже было сказано, емкости эмиттера зашунтированы малым сопротивлением, однако при частотах порядка десятка мегагерц влияние их может сказаться. С ростом частоты будет расти составляющая тока через емкость, не связанная с инжекцией неосновных носителей, что будет проявляться как уменьшение эффективности эмиттера и коэффициента передачи тока эмиттера. За счет влияния дополнительной реактивной составляющей через емкость эмиттера увеличивается угол сдвига фазы тока коллектора относительно тока эмиттера. Однако все эти эффекты не очень значительны и в большинстве случаев ими можно пренебречь. Значительно сильнее сказывается влияние барьерной емкости коллектора, так как из-за большого сопротивления коллектора его емкостные токи заметны уже при частотах порядка тысяч и даже сотен герц. [14]
Ввиду того, что напряжение на эмиттере мало, при расчете емкости эмиттера следует учитывать контактную разность потенциалов. [15]
Страницы: 1 2 3