Емкость - эмиттер
Cтраница 2
 |
Зависимости емкостей сплавного диода ( штриховая кривая и диффузионного ( сплошная от прямого напря. [16] |
При дальнейшем увеличении прямого напряжения ( большие плотности тока) емкость коллекторного перехода становится соизмеримой и даже большей, чем емкость эмиттеров. [17]
На переходный процесс выходного напряжения СН существенное влияние оказывают некоторые параметры транзисторов, входящих в РЭ, например в рассматриваемом случае - емкость эмиттера и сопротивление базы схемы размещения регулирующего транзистора. Правильно спроектированный в динамике УОС должен скомпенсировать влияние тех параметров РЭ, которые ухудшают переходный процесс на выходе СН. [18]
 |
Эквивалентная схема транзистора для определения характера входного сопротивления.| Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. [19] |
Эквивалентная схема транзистора с заземленной базой дана на рис. 4.33. Емкость Сэ, включенная параллельно сопротивлению эмиттера гэ, представляет собой сумму диффузионной и барьерной емкостей эмиттера. Сопротивление коллектора существенно не влияет на входное сопротивление и поэтому опущено. [20]
Это позволяет сделать вывод о том, что для современных транзисторов с частотами fTr свыше 100 Мгц и емкостями переходов порядка единиц пикофарад основной вклад в задержку вносит емкость эмиттера. [21]
Поскольку биполярные транзисторы различных типов имеют различные площади эмиттерного перехода, то для общей наглядности имеет смысл определить граничную плотность тока эмиттера / эгр, при которой, а также при меньших плотностях тока можно пренебречь влиянием диффузионной составляющей емкости эмиттера. [22]
Ск, а последнее сравнимо с сопротивлением базы г 6, то величиной гк пренебрегают. Емкость эмиттера Сэ также можно не учитывать, так как она зашунтировапа достаточно малым сопротивлением гэ. [23]
 |
Эквивалентная схема каскада с общим эмиттером для высоких частот. [24] |
Емкость коллектора Ск параллельна коллекторному переходу, имеющему большое сопротивление, поэтому с увеличением частоты она оказывает значительное влияние на величину динамического коэффициента усиления. Емкостью эмиттера С3 в интересующей нас области частот можно пренебречь, так как она, имея величину того же порядка, что и Ск, шунтирует малое сопротивление эмиттера. В рассматриваемой эквивалентной схеме сопротивление базы разбито на две составляющие: Гб - омическое сопротивление, не зависящее от частоты, и rg - омическое сопротивление, зависящее от частоты. [25]
Именно, измерялась емкость эмиттера и коллектора сначала в атмосфере сухого азота, а затем при данной степени влажности. [26]
При выключении управляющего сигнала диод практически остается закрытым до тех пор, пока напряжение на нем не достигает i / OT. В течение этого времени емкость эмиттера С перезаряжается. [27]
Для других типов СН, в частности для широко используемых однокаскадных, запаздывание РЭ может н не быть основной причиной неустойчивой работы. Здесь, ввиду того что влияние емкости эмиттера С и сопротивление базы регулирующего транзистора не скомпенсированы, фазовый угол выходной проводимости растет быстрей с увеличением частоты. Это приводит к охвату АФХ начала координат на более низких частотах и, следовательно, к неустойчивой работе. [28]
При большой скорости сброса тока нагрузки на выходе СН может возникнуть выброс напряжения значительной величины. Это происходит из-за того, что через емкость эмиттера регулирующего транзистора протекает импульс тока, запирающего второй транзистор в составном триоде. [29]
 |
Временные диаграммы токов эмиттера и коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при подаче на вход импульса тока. [30] |
Страницы: 1 2 3