Cтраница 3
В момент окончания импульса напряжения Ua концентрация дырок в базе на границе эмиттерного перехода мгновенно падает до равновесного значения, образуется обратный градиент концентрации дырок, вследствие чего ток эмиттера меняет свое направление по величине, стремясь к бесконечности. Реально величина тока эмиттера конечна, вследствие наличия сопротивления базы re и емкости эмиттера Сэ. Ток коллектора в момент времени ttz скачком измениться не может, так как изменение концентрации дырок у эмиттера не мгновенно распространяется к коллектору. Поэтому изменение тока базы в момент времени tn равно изменению тока эмиттера. Уменьшение концентрации дырок в базе с течением времени приводит к уменьшению градиентов концентрации их у коллекторного и эмиттерного переходов, что и определяет спад токов базы, эмиттера и коллектора. [31]
Таким образом, могут быть рассчитаны три аддитивные составляющие задержки включения. Для современных типов высокочастотных транзисторов основной вклад в величину задержки включения вносят члены, содержащие емкость эмиттера. Самой малой добавкой является задержка распространения. [32]
Шокли в 1948, а созданы они были в кон. Это снимает рассмотренные выше ограничения на толщину базы W и уровень легирования базы Nd, Кроме того, снижением уровня легирования эмиттера может быть существенно уменьшена емкость эмиттера С. [33]
Как уже было сказано, емкости эмиттера зашунтированы малым сопротивлением, однако при частотах порядка десятка мегагерц влияние их может сказаться. С ростом частоты будет расти составляющая тока через емкость, не связанная с инжекцией неосновных носителей, что будет проявляться как уменьшение эффективности эмиттера и коэффициента передачи тока эмиттера. За счет влияния дополнительной реактивной составляющей через емкость эмиттера увеличивается угол сдвига фазы тока коллектора относительно тока эмиттера. Однако все эти эффекты не очень значительны и в большинстве случаев ими можно пренебречь. Значительно сильнее сказывается влияние барьерной емкости коллектора, так как из-за большого сопротивления коллектора его емкостные токи заметны уже при частотах порядка тысяч и даже сотен герц. [34]
Среди др. параметров транзистора, ограничивающих его частотный предел, следует отметить зарядную емкость эмиттерного перехода. Эта емкость шунтирует сопротивление эмиттерного перехода и на ВЧ, что приводит к дополнит, падению коэфф. В частности, влияние емкости эмиттера обычно объясняет зависимость предельной частоты от величины пост, тока эмиттера. [35]