Коллекторная емкость

Cтраница 1

Коллекторная емкость Сбк обычно приводится в справочниках. [1]

Коллекторная емкость транзистора работает в качестве емкости варакторного умножителя частоты ( подробнее см. гл. [2]

Коллекторную емкость тоже измеряют отдельно с помощью куметра. [3]

Эквивалентная схема замещения транз и с т о р а ( включение с общей базой.| Эквивалентная схема замещения транзистора ( включение с общим эмиттером. [4]

Разделение коллекторной емкости на две составляющие основано на анализе геометрии транзисторной структуры. Этот вопрос рассмотрен в работе В. Л. Аронова и Ю. А. Ше-ра [2.7], в которой получена эквивалентная схема транзистора на основе анализа двумерной модели транзистора. При этом анализе транзистор разбивается на три области. [5]

Величина коллекторной емкости в значительной степени определяется напряжением, приложенным к коллектору, однако максимально допустимое напряжение на коллекторе ограничивается напряжением пробоя, величина которого приблизительно обратно пропорциональна концентрации примесей в базе. [6]

Эквивалентная схема транзистора при включении его по схеме с ОБ ( а и общая схема транзистора как четырехполюсника ( б. [7]

Влияние коллекторной емкости Ск Скб Ск ДИф начинает заметно сказываться на режиме работы усилительного каскада в области повышенных частот. [8]

Эффект увеличения коллекторной емкости объясняется тем, что через нее протекает ток, пропорциональный разности потенциалов между базой и коллектором следующего каскада. [9]

Коллекторные характеристики мощного транзистора. [10]

Кроме того, коллекторная емкость у мощных транзисторов обычнс составляет сотни, а иногда и тысячи пикофарад, так что в целом мощньн транзисторы являются сравнительно низкочастотными. [11]

С учетом нелинейности коллекторной емкости естественно ожидать, что та полуволна напряжения, которая соответствует малым мгновенным напряжениям на коллекторном переходе, будет иметь несколько уплощенную форму. [12]

Измерение в схе - - - - - - - - 1. [13]

Источником погрешности является также коллекторная емкость испытуемого транзистора, из-за которой затрудняется выполнение условий короткого замыкания коллекторной цепи. [14]

При этом следует учесть коллекторную емкость, шунтирующую коллекторный переход. Для транзисторов типа П16 эта емкость может достигать 50 пф. [15]

Страницы: 1 2 3 4