Коллекторная емкость

Cтраница 3

В результате рассмотренных выше процессов удается получить меньшее значение коллекторной емкости и повысить частотную границу коэффициента усиления по напряжению. Практически р-область базы у полупроводниковых тетродов делается несколько более узкой, чем у плоскостных триодов и-р-и-типа. Это приводит к дальнейшему улучшению частотных характеристик благодаря уменьшению времени пролета электронов от эмиттера к коллектору. [31]

Принципиальная схема однотактного сдвигающего регистра на туннельных диодах и транзисторах. [32]

Благодаря процессам задержки импульса ( t3) при заряде коллекторной емкости ( Ск) к рассасывания неосновных носителей ( tpa:) в насыщенном транзисторе достигается разделение во времени тактирующего импульса и импульса установки с выхода транзисторного каскада. [33]

Обычно сопротивление г3гб и Ск практически равно активной части коллекторной емкости. [34]

Из тех же соображений более мощные транзисторы, имеющие большую коллекторную емкость, целесообразно использовать в параллельной схеме с небольшой кратностью умножения ( л2 - 4), причем если кратность умножения больше двух, необходимо применять холостые контуры для повышения эффективности умножения за счет преобразования промежуточных гармоник в выходную частоту. [35]

Технология изготовления меза-дйффу-зионно-еплавного транзистора. [36]

Метод сплавления-диффузии позволяет создавать переходы с тонкими базовыми слоями и малыми коллекторными емкостями. Он прост и обеспечивает выпуск транзисторов с хорошими высокочастотными свойствами. [37]

Надо иметь в виду, что у транзистора с большим р коллекторная емкость Ск ( Р 1) может оказаться настолько значительной, что составляющая времени нарастания фронта CK ( l) RK будет чрезмерно большой. [38]

Высокое удельное сопротивление пленки обеспечивает высокие коллекторные напряжения и малые значения коллекторных емкостей. [39]

При расчете переходных процессов в ключах на дрейфовых транзисторах необходимо учитывать влияние коллекторной емкости, так как на величину ток (1.51) значительное влияние оказывает член, содержащий Ск. [40]

При высокоомноой нагрузке на работу усилителя существенно влияет внутренняя обратная связь через коллекторную емкость транзистора. Это обстоятельство должно быть учтено при расчете предоконечного каскада. Иногда для устранения влияния коллекторной емкости целесообразно применить специальную коррекцию на входе оконечного каскада или отделить вы-сокоомную нагрузку от предварительного усилителя каскодной схемой. [41]

Входная емкость модулятора Тг со стороны базы приблизительно равна сумме емкости эмиттерного перехода и коллекторной емкости, умноженной на усиление по напряжению. Если усиление изменяется вследствие модуляции рабочей точки транзистора, входная емкость также меняется, чем и достигается частотная модуляция. На частоте 772 кгц получается частотный сдвиг 420 кгц с неплохой линейностью. [42]

В мощных транзисторах, предназначенных для работы на высоких частотах, необходимо стремиться к уменьшению коллекторной емкости, так как большая емкость коллектора в схеме с общим эмиттером будет приводить к отрицательной обратной связи и тем самым уменьшать коэффициент усиления по мощности. [43]

При подаче сигнала напряжение на коллекторном переходе транзистора изменяется, что влечет за собой изменение коллекторной емкости Ск, а следовательно, и Ст. Поскольку эти изменения зависят от величины сигнала, возникают практически неустранимые искажения формы сигнала на выходе всего усилителя. [44]

Возможный выигрыш в максимальной частоте усиления мощности определяется для дрейфового триода практически только возможностью уменьшить коллекторную емкость, так как увеличение fa / g в числителе ( VIII. [45]

Страницы: 1 2 3 4