Коллекторная емкость

Cтраница 2

В табл. 10.1 приведены величины коллекторной емкости, которая используется в выражениях для времени нарастания и времени спада. [16]

Схема преобразователя [ IMAGE ] Схема преобразователя на тран-на транзисторе, работающем с са - зисторах, работающих с независимым мовозбуждением возбуждением. [17]

Сь в качестве которой обычно используется коллекторная емкость транзистора, распределенная емкость обмоток и монтажа. [18]

Транзисторные умножители частоты, использующие нелинейность коллекторной емкости, работая в качестве удвоителей или утронтелей частоты, позволяют получать выходной сигнал с частотой, в 1 5 - 3 раза превышающей частоту / гр транзистора. [19]

Время выключения транзистора f определяется величинами эмиттерных и коллекторных емкостей нагрузочных каскадов. На рис. 10 проведены осциллограммы фронта выключения при различных значениях нагрузочной емкости. Эти осциллограммы позволяют сделать вывод, что длительность фронта выключения возрастает от величины емкости нагрузки в данной схеме меньше чем 1 нсек / пф. [20]

Такая структура одновременно позволяет заметно уменьшить коллекторную емкость, получить низкое сопротивление базы и увеличить граничную рабочую частоту. В лабораторных условиях верхний частотный предел при работе транзисторов в режиме усилителя достигает 25 мггц, а при работе их в качестве генераторов - 95 мггц. Теоретические расчеты показывают, что данный тип триодов может работать при частотах до 1000 мггц и выше. [21]

Разновидности схем ТПУ. [22]

Так как маломощные транзисторы обычно имеют небольшую коллекторную емкость, то, исходя из двух последних соображений, их следует использовать с последовательной схемой коллекторной цепи. [23]

Запуск триггера с раздельными входами. [24]

В случае высокочастотных дрейфовых транзисторов нужно учитывать влияние коллекторной емкости и емкости нагрузки. Это будет сделано в конце главы. [25]

При действии помехи А ( УК ток заряда коллекторной емкости Ск может вызвать на обмотке ш62 трансформатора Тр2 напряжение, превышающее порог отпирания транзисторного ключа, что приведет к срабатыванию формирователя. Чтобы исключить действие помехи на транзисторный ключ, используется емкость С, выбираемая из условия, что максимальное напряжение на ней, обусловленное током емкости Ск, будет меньше ( Уиор. Индуктивность обмотки w и емкость С образуют колебательный контур. [26]

Задаваясь величиной монтажной емкости См Ю пф и коллекторной емкости транзистора Ск 4 пф, по формуле (11.66) находим Сп2 28 пф. [27]

Это, с одной стороны, позволяет изменять величину коллекторной емкости изменением напряжения питания, но, с другой стороны, создает ряд нежелательных эффектов. В частности, зависимость величины емкости от напряжения приводит к нелинейности амплитудной характеристики при усилении кратковременных сигналов. В реальных условиях влияние емкостей переходов на коэффициент усиления зависит, естественно, от параметров внешней цепи. При малых величинах нагрузочных сопротивлений оно будет невелико, так как быстрее начнет сказываться изменение коэффициента усиления триода. Однако в других случаях, когда, стремясь повысить коэффициент усиления каскада, применяют в качестве коллекторной нагрузки высокое сопротивление, для уменьшения времени нарастания приходится выбором режима снижать эту емкость, используя максимально допустимое рабочее напряжение. [28]

Полупроводниковый тетрод. [29]

Поперечное сечение бруска материала делают минимально возможным для уменьшения коллекторной емкости. Выводы эмиттера и коллектора изготовляют невыпрямляющими с помощью пайки оловом. [30]

Страницы: 1 2 3 4