Выходная емкость - транзистор
Cтраница 1
Выходная емкость транзистора не превышает сотен пикофарад, и ее сопротивление даже на верхних частотах диапазона в десятки и сотни раз больше активного сопротивления нагрузки. Кроме того, сопротивление нагрузки нельзя считать, чисто активным, так как и телефоны, и головки громкоговорителей имеют индуктивную составляющую сопротивления. [1]
Вследствие меньшей выходной емкости транзистора в схеме с ОБ ( СКС К) и более высокой предельной частоты ( fafp) включение транзистора по схеме с ОБ имеет преимущество при усиле - 4.18 нии высоких частот. [2]
Однако из-за шунтирующего действия выходной емкости транзистора и низкого полного сопротивления входной цепи следующей усилительной ступени возможности значительного увеличения сопротивления нагрузки ограничены. [3]
 |
Схема стабилизатора напряжения питания каскадов смесителя и гетеродина ( о и его характеристики ( б, в. [4] |
В такт с изменениями напряжения питания меняется выходная емкость транзистора, а следовательно, и частота сигнала гетеродина. У приемников, имеющих такой дефект, при увеличении громкости принимаемой передачи происходит уход частоты гетеродина. Во время же пауз в передаче или при малой громкости настройка на принимаемую радиостанцию восстанавливается. Для устранения этих недостатков в приемниках Спидола, ВЭФ-Спидола-Ш и других применен стабилизатор напряжения питания транзисторов смесителя и гетеродина. [5]
СМ СВХ сл, где Свых - выходная емкость транзистора рассматриваемого каскада; См - монтажная емкость; Свх сл - входная емкость следующего каскада. Наибольший вклад в С3 вносит емкость Свх сл. Эта емкость определяется выражением Ст сл С6э СкЯи, где С6э / ( 2nfpR63) - емкость перехода база - эмиттер; Ск - емкость коллекторного перехода; Ни - коэффициент усиления по напряжению следующего каскада. [6]
 |
Зависимости а0, ат.| Зависимости А,. [7] |
Если задана емкость d, в которую входит выходная емкость транзистора, паразитная емкость схемы, то появятся ограничения на максимальную рабочую частоту ключевого генератора. [8]
 |
Схема широкополосного усилительного каскада с низкочастотной коррекцией.,. [9] |
Включение второй корректирующей катушки L2 позволяет уменьшить влияние выходной емкости транзистора на частотную характеристику в области верхних частот и повысить коэффициент усиления каскада на 20 - 40 % по сравнению со схемой с простой коллекторной коррекцией. [10]
Поскольку время установления фронта импульса определяется в основном выходной емкостью транзистора, импульсные усилители выполняются на высокочастотных биполярных и полевых транзисторах. [11]
ЭЛТ представляет собой емкостную нагрузку, которая совместно с выходной емкостью транзистора и емкостью монтажа ограничивает сопротивление активной нагрузки выходного каскада допустимыми искажениями на высоких частотах. Для правильного расчета выходного каскада следует учесть, что емхостная нагрузка, создаваемая ЭЛТ, состоит из емкости между каждой из вертикально отклоняющих пластин и остальными электродами Сцл и взаимной емкости между этими пластинами Свз. Это объясняется тем, что напряжение на отклоняющих пластинах изменяется в противоположных направлениях, емкость заряжается до удвоенного напряжения одного плеча и, следовательно, потребляет от выходного транзистора удвоенный зарядный ток. [12]
 |
Упрощенные схемы коллекторной цепи транзисторного. [13] |
На рис. 1.6 пунктиром показана емкость С, в которую входят выходная емкость транзистора и паразитная емкость схемы. Емкость С шунтирует нагрузку генератора. [14]
Необходимо предварительно задаться собственной частотой а контура в цепи коллектора, образованного выходной емкостью транзистора и индуктивностью катушки связи. [15]
Страницы: 1 2 3 4