Выходная емкость - транзистор
Cтраница 3
Если настройка резонатора должна в эксплуатации изменяться, то расчет ведется для средней частоты заданного диапазона перестройки. При этом емкость нижнего отрезка линии, сшределяемая суммой выходной емкости транзистора в установленной емкости надстроечного конденсатора, должна быть равна средней емкости варикапа, которая определяется соответствующим напряжением смещения на его р-п переходе. После изготовления резонатора сопряжение контуров на границах диапазона перестройки осуществляют подстроечными конденсаторами. [31]
Воздействие на входе транзистора преобразователя AM помехи с большим уровнем ( выше 10 - 50 мВ) приводит к динамическому изменению режима транзистора и соответствующему изменению его входных и выходных емкостей. Поскольку смеситель через элементы связи соединен с гетеродином, то изменение входной или выходной емкости транзистора смесителя приводит к паразитной ЧМ гетеродина. Другим возможным путем проникновения перекрестной помехи является паразитная AM колебаний гетеродина по общим цепям питания смесителя и гетеродина при динамических изменениях режима смесителя по току от воздействия больших входных сигналов. [32]
 |
Принципиальная схема СК-Д-1. [33] |
Гетеродины I-II и III диапазонов собраны на транзисторах VT5, VT4 КТ3126А соответственно и включены по схеме с общей базой. В I-II диапазоне контур гетеродина образован из индуктивности катушки L21, емкости варикапа VD13, выходной емкости транзистора VT5 и емкости монтажа, а в III диапазоне - из индуктивности катушки L20, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 и емкости монтажа. [34]
Выбрав La так, чтобы резонанс имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния С0, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость Со образуется выходной емкостью транзистора рассчитываемого каскада н входной динамической емкостью следующего. [35]
Гетеродины I - II и III диапазонов, собранные на транзисторах VT5 ГТ346Б и VT4 ГТ346Б соответственно, включены по схеме с заземленной базой. Контур гетеродина в I - II диапазоне образуется из индуктивности катушки LI9, емкости варикапа VD13 КВ121А, выходной емкости транзистора VT5 ГТ346Б и емкости монтажа. В III диапазоне контур гетеродина образуется из индуктивности катушки L18, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 ГТ346Б и емкости монтажа. Для сопряжения частоты гетеродина в середине принимаемых диапазонов в его схемах подобраны соответствующие номиналы конденсаторов С40 в I - II и С38 в III диапазоне. Точная настройка сопряжения частот в концах диапазонов осуществляется с помощью подстроенных конденсаторов в контурах УВЧ. [36]
На эквивалентной схеме для высоких частот ( рис. 6.44, г) емкость С2 отсутствует, так как ее сопротивление на этих частотах близко к нулю. В основном здесь на коэффициент усиления влияет емкость цепи нагрузки Сн ли входная емкость следующего каскада, определяемая формулами (6.35), (6.43), (6.80) и (6.85), и выходная емкость Сси транзистора. [37]
 |
Принципиальная схема СК-Д-1. [38] |
Гетеродины I-II и III диапазонов собраны на транзисторах VT5, VT4 КТ3126А соответственно и включены по схеме с общей базой. В I-II диапазоне контур гетеродина образован из индуктивности катушки L21, емкости варикапа VD13, выходной емкости транзистора VT5 и емкости монтажа, а в III диапазоне - из индуктивности катушки L20, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 и емкости монтажа. [39]
Получены расчетные соотношения для параметров коллекторной цепи и колебательной мощности однотактного ключевого генератора с фильтрующим контуром. Определены потери в транзисторе. Учитывается влияние нелинейности выходной емкости транзистора на энергетические характеристики. Приведены соотношения для максимальной частоты такого генератора, обусловленные выходной емкостью транзистора. [40]
Трансформатор Тр, включенный в цепь коллектора транзистора Т, выполняется на карбонильном сердечнике броневого типа или на оксиферовом кольце. Индуктивность первичной обмотки трансформатора должна быть в пределах 10 - 15 мгн. Слишком большая индуктивность образует совместно с выходной емкостью транзистора колебательный контур с резонансной частотой, лежащей в нижней части диапазона, тогда как желательно, чтобы трансформатор за счет паразитного резонанса поднимал усиление каскада вблизи верхней границы диапазона. [41]
 |
Схема транзисторного ПТК на три программы. [42] |
Переключение выходного контура УВЧ с одного диапазона ( канала) на другой производится, так же как и во входной цепи, путем последовательного включения контурных катушек. Применение последовательного включения контурных катушек во входной и выходной цепях УВЧ при переключении каналов позволяет использовать более простые галетные переключатели без заметного ухудшения стабильности работы каскада. Результирующая емкость этого делителя совместно с выходной емкостью транзистора TI и емкостью монтажа образует емкость конденсатора нагрузочного колебательного контура УВЧ. [43]
Гетеродины I - II и III диапазонов, собранные на транзисторах VT5 ГТ346Б и VT4 ГТ346Б соответственно, включены по схеме с заземленной базой. Контур гетеродина в I - II диапазоне образуется из индуктивности катушки LI9, емкости варикапа VD13 КВ121А, выходной емкости транзистора VT5 ГТ346Б и емкости монтажа. В III диапазоне контур гетеродина образуется из индуктивности катушки L18, емкости варикапа VD12, выходной емкости транзистора VT4 ГТ346Б и емкости монтажа. Для сопряжения частоты гетеродина в середине принимаемых диапазонов в его схемах подобраны соответствующие номиналы конденсаторов С40 в I - II и С38 в III диапазоне. Точная настройка сопряжения частот в концах диапазонов осуществляется с помощью подстроенных конденсаторов в контурах УВЧ. [44]
 |
Диаграммы выключения транзистора в схеме. [45] |
Страницы: 1 2 3 4