Выходная емкость - транзистор
Cтраница 2
Нагрузкой каскада является одиночный контур 12 6, образованный индуктивностью 11.13, выходной емкостью транзистора 1VT6 и емкостью конденсаторов 1С47, 1С41, IC49 на входе второго каскада. [16]
 |
Схемы замещения преобразователя с емкостным фильтром для интервалов импульса ( а и паузы ( б. [17] |
Между каждым выключением транзистора и включением соседнего должна быть небольшая пауза для перезаряда выходных емкостей транзисторов и получения ПНН. Принимаем обычные допущения об идеальности элементов и пренебрегаем пульсациями напряжения на конденсаторе С с первичной стороны. Индуктивность рассеяния Ls принимаем намного меньшей индуктивности L, что всегда выполняется. [18]
Последовательное включение двух резисторов 2.1 ( R16, R17) позволяет уменьшить влияние выходной емкости транзистора на частотную характеристику. Транзистор 2.1V T6 включен по схеме эмиттерного повторителя для уменьшения выходного сопротивления видеоусилителя, что дает возможность снизить влияние входной емкости кинескопа на частотную характеристику тракта видеосигнала. Резистором 2.1 R12 осуществляется отрицательная обратная связь по напряжению. [19]
Граничную частоту, равную 1 7 fc, выходного сопротивления необходимо учитывать только тогда, когда выходная емкость транзистора ( см. приложение), пересчитанная параллельно его выходу в соответствии с эффектом Миллера, не может составлять часть фильтра, включенного на выходе транзистора. Такая схема реализуется, в частности, в фильтрах верхних частот, в которых первым ( со стороны входа) элементом является индуктивность. [20]
 |
Выходная часть преобразователя с индукгивностями рассеяния вторичных обмоток Lsl, La. [21] |
Одним из недостатков рассмотренной схемы на рис. 24.11 является то, что остаются потери в ключе, обусловленные разрядом выходной емкости транзистора Свьп при включении. Для того чтобы эти потери были устранены или, во всяком случае, уменьшены, необходимо подключение к схеме еще одного транзистора и создание в ней режима мягкого переключения. Усложнение схемы и повышенная стоимость устройства далеко не всегда бывают оправданы снижением потерь в ключе. [22]
Транзистор 7 3 работает в схеме резонансного усилителя, нагрузкой которого является дроссель Др5, который имеете с емкостью монтажа и выходной емкостью транзистора образует резонансный контур на частоте 4 3 МГц. Этот контур зашунтирован сравнительно небольшим эквивалентным сопротивлением диодного ограничителя, поэтому полоса пропускания каскада превышает с требуемым запасом полосу частот, в которой размещены частотно-модулированные сигналы цветности. С коллектора транзистора Т8 усиленные сигналы поступают через конденсатор С34 на диодный ограничитель и одновременно через конденсатор С64 - на вход канала задержанного сигнала. [23]
Мы видим, что величина mt зависит от частоты принимаемого сигнала сор и от резонансной частоты озк дополнительного колебательного контура, составленного из LCB и выходной емкости транзистора. Если сок рт п то с увеличением частоты сигнала ml и вместе с ним / ( в пределах поддиапазона уменьшаются, при обратном соотношении - возрастают. [24]
В высокочастотной модели каскада предварительного усиления междуэлектродные и монтажные емкости учтены в виде нагружающей каскад эквивалентной емкости Сэ Свых См Свх - сл, где Свых - выходная емкость транзистора рассматриваемого каскада; См - монтажная емкость; Свх сл - входная емкость следующего каскада. Наибольший вклад в Сэ вносит емкость Свх сл. [25]
Первый контур фильтра образован индуктивностью 1L14, конденсатором IC55 и выходной емкостью коллектора транзистора 1VT7, а второй - индуктивностью IL15, конденсаторами IC59, IC60 и выходной емкостью транзистора третьего каскада. Катушки 1L14 и 1LI5 фильтра / Z7 расположены на одном каркасе. [26]
С - С к - m C - гп Съ - - емкость колебательного контура, которая зависит от та и т2) так как через эти коэффициенты в колебательный контур пересчитываются выходная емкость транзистора данного каскада и входная емкость транзистора следующего каскада. [27]
При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. Выходная емкость транзистора заряжается, а ток коллектора уменьшается по экспоненциальному закону и после определенного времени, называемого временем спада tc ( см. рис. 16.39, г), принимает исходное значение / ко. [28]
Верхние концы сопротивлений RK и R объединены с нижним концом сопротивления R2, так как для переменной составляющей коллекторного тока внутреннее сопротивление источника питания Ек можно считать равным нулю. Пунктиром показана выходная емкость Скэ транзистора в схеме ОЭ, влияние которой сказывается на высоких частотах. [29]
На рис. 3.5 приведена схема каскада резонансного усилителя с трансформаторной связью колебательного контура с выходной цепью транзистора. Индуктивность связи LCB вместе с выходной емкостью транзистора Свых, включенной параллельно ей, образует колебательный контур. [30]
Страницы: 1 2 3 4