Зарядная емкость

Cтраница 1

Устройство щелочного аккумулятора.| Устройство серебряно-цинкового аккумулятора. [1]

Зарядная емкость должна быть на 15 - 20 % больше номинальной емкости аккумулятора. [2]

Зарядная емкость образуется в результате диффузии носителей из области перехода при отсутствии смещения на нем. При этом вблизи перехода создается обедненная область, в которой концентрация подвижных носителей весьма мала; остающиеся в этой области неподвижные заряды создают электростатическое напряжение - контактную разность потенциалов. [3]

Эквивалентная схема фотодиода и фототранзистора на повышенных частотах. [4]

Зарядная емкость фотодиода в вентильном режиме С3 определяется при нулевом напряжении смещения на переходе, и ее величина составляет сотни пикофарад. [5]

Зарядная емкость электронно-дырочного перехода определяется геометрией переходного слоя и его диэлектрической проницаемостью. [6]

Интегральная зарядная емкость коллекторного перехода обычно рассчитывается по формуле (1.26) в следующей последовательности. [7]

Зарядной емкостью Q3 называется количество электричества, поглощенное аккумулятором при его заряде. [8]

Если зарядная емкость эмиттерного перехода составляет 100 пф, то на частоте 1 5 Мгц она будет представлять собой емкостное сопротивление Хс 1 000 ом. Однако на более высоких частотах при относительно больших величинах Сэз может оказаться, что пренебрегать токами смещения нельзя. [9]

Поскольку зарядные емкости эмиттерного перехода Сэ0 этих транзисторов примерно равны ( см. табл. 2 - 1), то и время переходного процесса при их запирании ( при одной и той же величине сопротивления гн) примерно одинаково. [10]

Помимо зарядной емкости, в электронно-дырочном переходе приходится считаться с явлением, получившим название диффузионной емкости. Явление это заключается в следующем. [11]

Эквивалентная схема для малого сигнала при включении транзистора с общим эмиттером. [12]

Кроме зарядной емкости, зависящей в основном от напряжения на переходе, р-п переход имеет также диффузионную емкость Сд, которая зависит от тока через переход. [13]

Помимо зарядной емкости, электронно-дырочному переходу свойственна еще так называемая диффузионная емкость. Происхождение этой емкости следующее. [14]

Влияние зарядной емкости коллекторного перехода на его свойства оказывается значительно более сильным. Хотя емкость коллекторного перехода в 5 - 10 раз меньше зарядной емкости эмиттер ного перехода, активное сопротивление коллекторного перехода может в десятки тысяч раз превосходить сопротивление эмиттерного перехода. Вследствие этого приходится считаться с появлением токов смещения через зарядную емкость коллекторного перехода иногда на частотах порядка тысяч и даже сотен герц. Так, например, транзисторы, предназначенные для работы в диапазоне частот до нескольких сотен килогерц, могут иметь сопротивление коллектора, превышающее 1 Мом. В то же время емкость этих триодов может составлять несколько десятков пикофарад. При емкости коллектора 10 пф и сопротивлении его 1 Мом активная и емкостная составляющие будут равны уже на частоте около 15 кгц. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5