Зарядная емкость
Cтраница 3
При увеличении прямого смещения зарядная емкость растет. [31]
 |
Схема перезаряда конденсатора. [32] |
В схеме реле времени применять большие зарядные емкости нецелесообразно, так как наличие сопротивления утечки конденсатора ведет к ошибкам выдержки. Большими утечками обладают оксидные конденсаторы, поэтому в схемах реле нужно применять слюдяные, металлобумажные и другие конденсаторы с малыми утечками. [33]
Энергия при заряде равна произведению зарядной емкости на среднее значение напряжения на зажимах аккумулятора при заряде. Отношение разрядной энергии к зарядной называют коэффициентом отдачи по энергии. [34]
 |
Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [35] |
На рис. 2.6 показана зависимость зарядной емкости германиевого диода типа ГД107 от величины обратного напряжения. [36]
Для устранения этого недостатка между зарядной емкостью и лампами детектора включается цепь кондуктивной положительной обратной связи с тем, чтобы уровень начального потенциала зарядных ламп следовал за потенциалом зарядной емкости. Обычно в качестве цепи обратной связи используется катодный повторитель. Результирующее действие такой цепи аналогично линеаризации экспоненциального заряда емкости в компенсационных схемах, рассмотренных в гл. [37]
Первая причина этого падения обусловлена зарядной емкостью Сэз эмиттерного перехода. Через эту емкость бесполезно ответвляется в базу часть Э миттерного тока, не участвующая в транзисторном эффекте. Вторая причина связана с конечным временем перемещения зарядов по активной толщине W базы путем диффузии неосновных носителей от эмиттера к коллектору. [38]
 |
Усредненная зависимость. [39] |
Эб и UKQ, так как зарядные емкости меняются с температурой незначительно. [40]
 |
Схема упрощенного реле времени с транзистором. 5 - 1 65. [41] |
При увеличении с помощью переключателя Пз зарядной емкости диапазон выдержек пропорционально изменяется. [42]
При этом обычно оказываются повышенными значения зарядной емкости. Для уменьшения Г (, с сохранением малого С3 наносят в вакууме на низкоомный кристалл пленку высокоомного полупроводника, с которой и осуществляется контакт. Такие диоды иногда называют эпитак-сиадьными. [43]
 |
Электроотрицательность некоторых групп атомов ХГР. [44] |
Коэффициент заряда Ь является обратной величиной зарядной емкости атома. Небольшой атом с высоким значением Ь обладает ограниченной способностью к смещению электронной плотности, пока значение / значительно не изменится. Примером такого атома является фтор. Этим объясняется аномальность сродства к электрону для атома фтора ( см. разд. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5