Зарядная емкость

Cтраница 4

При достижении менее чем 1 % зарядной емкости элемента разность потенциалов стабилизируется на уровне 0 85 В и остается постоянной вплоть до полной зарядки элемента. [46]

Параметры, характеризующие длительности переходных процессов: зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов Ск, Сэ, предельная частота усиления по току / а, граничная частота fT, сопротивление базы / fg, постоянная времени обратной связи г0 - Ск и время переключения. Близко к зарядным параметрам Ks - отношение заряда к току, при отсутствии напряжения на коллекторе. С его помощью можно рассчитывать длительность переходных процессов для транзистором, у к-рых накопление происходит в базовой области; Ks в этом случае играет роль эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в области базы в режиме насыщения. [47]

Демодуляция сигнала ШИМ. [48]

В ключевом детекторе амплитуда импульса запоминается на зарядной емкости на время Т0, близкое к периоду Т, после чего емкость разряжается специ; льным строб-импульсом. [49]

С - р -, получаем величину зарядной емкости электронно-дырочного перехода, приходящуюся на 1 см2 площади. [50]

Для закрытого перехода следует учитывать главным образом зарядную емкость. При работе перехода в прямом направлении диффузионная емкость обычно преобладает над зарядной и поэтому зарядной емкостью, как правило, можно пренебречь. [51]

При прямом смещении р-я-пере-хода его ширина уменьшается и зарядная емкость возрастает. [52]

При обратном смещении р-п-пере-хода его ширина увеличивается и зарядная емкость уменьшается. [53]

Следует отметить, что по этой формуле определяется зарядная емкость без учета рекомбинации в переходном слое. Как показывает анализ, влияние токов рекомбинации в переходном слое целесообразно учитывать отдельно. [54]

При заряде отформированного никелево-кадмиевого аккумулятора примерно 70 % зарядной емкости принимается при среднем напряжении 1 45 В и около 30 % - при 1 85 В. [55]

Остаточная емкость элемента, выраженная в виде доли полной зарядной емкости. [56]

Напряжение источника f / cp зависит также от зарядных емкостей транзистора С80 и Ск0 и имеет тем большую величину, чем выше значения этих емкостей. [57]

В качестве конденсатора в интегральной схеме может быть использована зарядная емкость р-л-перехода, диффузионная емкость и емкость МДП-структуры. [58]

Недостатки этих модуляторов связаны с необходимостью применения значительных величин зарядных емкостей, трудностью получения больших мощностей, для чего приходится использовать параллельное включение нескольких ламп модулятора, что приводит к неустойчивой работе, а также с жесткими требованиями к форме импульса под-модулятора и возможностью использования только электронных коммутаторов. [59]

Входная характеристика транзистора, работающего в области отсечки.| Передаточная характеристика транзистора, работающего в области отсечки. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5