Барьерная емкость - коллекторный переход
Cтраница 1
Барьерная емкость коллекторного перехода Ск может ответвлять заметную часть переменной составляющей тока усиленного сигнала на значительно более низких частотах, поскольку коллекторный переход обычно работает в запорном режиме и его сопротивление велико. [1]
Ск - барьерная емкость коллекторного перехода, значение которой зависит от напряжения на переходе, а следовательно, и от времени, так как напряжение изменяется со временем. [2]
Рассмотрим влияние барьерной емкости коллекторного перехода. [3]
 |
Схема генератора с последовательным резонансным контуром в выходной цепи. а - схема с общим эмиттером. б - схема с общей базой. [4] |
Как известно, барьерная емкость коллекторного перехода транзистора зависит от мгновенного напряжения, приложенного к переходу. При увеличении напряжения на коллекторном переходе емкость уменьшается, а при уменьшении напряжения - увеличивается. При прямых напряжениях коллекторная емкость изменяется еще резче за счет добавления диффузионной емкости. [5]
Рассмотрим сначала влияние барьерной емкости коллекторного перехода. [6]
Наиболее серьезное влияние оказывает барьерная емкость коллекторного перехода, которая через часть объемного сопротивления базы гб оказывается включенной параллельно резистору нагрузки Дн. [7]
Скбар - дифференциальное значение барьерной емкости коллекторного перехода. [8]
Емкость диода Сдг равна барьерной емкости коллекторного перехода Ск. [9]
 |
Структура ( а, топология ( в и эквивалентная схема ( в с учетом паразитных связей диффузионного конденсатора.| Структура ( в и тополо-логия ( б МДП-конденсатора. [10] |
Конденсаторы, реализованные на основе барьерной емкости коллекторного перехода, обладают максимальной емкостью 300 пФ, добротностью 5 - 10 на частоте 10 МГц и пробивным напряжением 20 - 50 В. Недостатком таких конденсаторов являются ограниченное значение максимальной емкости, малая добротность и зависимость емкости от напряжения. [11]
В области верхних частот необходимо учитывать барьерные емкости коллекторных переходов транзисторов, сопротивления которых снижаются с ростом частоты, шунтируя нагрузку и уменьшая ее сопротивление. Кроме того, вследствие конечной скорости перемещения неосновных носителей заряда через базу появляются фазовые сдвиги между токами на входе и выходе транзисторов. При этом коэффициент передачи тока базы hz 3 транзисторов уменьшается по модулю. [12]
В области верхних частот необходимо учитывать барьерные емкости коллекторных переходов транзисторов, сопротивления которых снижаются с ростом частоты, шунтируя нагрузку и уменьшая ее сопротивление. [13]
Последняя составляющая задержки т п связана с временем перезарядки барьерной емкости коллекторного перехода. Напряжение не может уменьшиться, пока не перезарядится барьерная емкость коллекторного перехода. [14]
 |
Учет барьерных емкостей р-п переходов. [15] |
Страницы: 1 2 3