Барьерная емкость - коллекторный переход
Cтраница 3
На эквивалентной схеме рис. 4.14 коллекторный переход зашун-тйрован емкостью Ск. Это барьерная емкость коллекторного перехода, по своей природе аналогичная емкости отдельного / 7-п-перехода. Она влияет на работу транзистора на высоких частотах, шунтируя сопротивление гк. [31]
Последняя составляющая задержки т п связана с временем перезарядки барьерной емкости коллекторного перехода. Напряжение не может уменьшиться, пока не перезарядится барьерная емкость коллекторного перехода. [32]
На частотные свойства транзисторов оказывают влияние емкости электронно-дырочных переходов. Диффузионная емкость эмиттерного перехода достигает у некоторых транзисторов сотен пикофарад, барьерная емкость коллекторного перехода составляет 1 0 н - 50 пф. [33]
Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении. Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение переключения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения приложенного напряжения уменьшается. [35]
 |
Структура биполярного транзистора со скрытым п - слоем ( а и топология электродов этого транзистора. [36] |
Поэтому граничные частоты ftp биполярных транзисторов в интегральных микросхемах обычно не превышают 500 МГц. При этом необходимо также учесть, что выходная емкость интегрального транзистора состоит не только из барьерной емкости коллекторного перехода, но и из барьерной емкости изолирующего перехода между областью коллектора интегрального транзистора и остальной частью кристалла. [37]
Основной вклад в инерционность изменения тока наряду с процессами накопления и рассасывания носителей вносит перезаряд барьерной емкости коллекторного перехода C № - Данная емкость связана в основном с обедненной областью коллекторного перехода и поэтому зависит от напряжения база-коллектор. [38]
Теперь при расчете 1ф в (1.34) следует подставлять тэш вместо тр. Таким образом, фронт включения определяется в основном процессами изменения концентрации носителей в базе и изменением заряда барьерной емкости коллекторного перехода. [39]
В течение стадии нарастания коллекторного тока транзистор находится в активном режиме. Время нарастания определяется инерционностью транзистора, природа которой рассматривалась в § 4.10, - это время пролета электронов через область базы и коллекторного перехода и время перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [40]
Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания неосновных носителей в базовой области диодной структуры. Это объясняется тем, что подвижность неосновных носителей заряда определяет время пролета неосновных носителей через базу, а подвижность основных носителей - объемное сопротивление базы и, следовательно, постоянную времени перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. Наибольшей подвижностью носителей заряда обладает антимо-нид индия. [41]
Следующее отличие реального транзистора от теоретической модели заключается в том, что всем его областям присущи объемные сопротивления. Особенно велика роль объемного сопротивления базы г6 - электрического сопротивления, оказываемого областью базы потоку основных носителей, который возникает в соответствии с принципом нейтральности ( с. Значение гб обычно невелико ( десятки - сотни ом), но вместе с барьерной емкостью коллекторного перехода Ск это сопротивление образует внутреннюю цепь обратной связи, возрастающей с повышением частоты усиливаемого сигнала. [42]
Благоприятным для создания высокочастотного транзистора является то обстоятельство, что при диффузионной технологии исходный материал образует область коллектора, концентрация примесей в которой может быть небольшой. В результате область объемного заряда коллекторного перехода при повышении напряжения распространяется в основном не в базу, а в коллектор, что снижает возможность смыкания даже при очень малой толщине базы. Это же способствует тому, что концентрацию примесей в базе диффузионного транзистора можно повысить для снижения ее сопротивления без существенного повышения барьерной емкости коллекторного перехода и падения его пробивного напряжения. [43]
Векторные диаграммы, представленные на рис. 1.36, поясняют рассмотренные явления. С изменением частоты изменяются сопротивления барьерных и диффузионных емкостей переходов, при этом чем выше частота, тем меньше емкостное сопротивление. Барьерные емкости коллекторного и эмиттерного переходов включены параллельно p - n - переходам и примерно одинаковы, но шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного. Так как через барьерную емкость коллекторного перехода ответвляется часть тока, то ток коллектора уменьшается, а следовательно, уменьшаются коэффициент передачи ( усиления) тока и коэффициент усиления по мощности. [44]
Векторные диаграммы, представленные на рис. 17.12, поясняют рассмотренные явления. С изменением частоты изменяются сопротивления барьерных и диффузионных емкостей переходов, при этом чем выше частота, тем меньше емкостное сопротивление. Барьерные емкости коллекторного и эмиттерного переходов включены параллельно р-п-переходам и примерно одинаковы, но шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного. Так как через барьерную емкость коллекторного перехода ответвляется часть тока, то ток коллектора уменьшается, а следовательно, уменьшаются коэффициент передачи ( усиления) тока и коэффициент усиления по мощности. [45]
Страницы: 1 2 3