Барьерная емкость - коллекторный переход
Cтраница 2
К числу пассивных элементов конструкции транзистора прежде всего относят барьерную емкость коллекторного перехода Ск и объемное сопротивление области базы / б ( рис. 2 - 50, а), влияние которых бывает заметным уже на частотах, равных десяткам килогерц. На этом рисунке емкость коллекторного перехода разделена на две составляющие: СК1, создающую на ВЧ внутреннюю обратную связь, и С 2, вносимую только во внешние цепи. [16]
 |
Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [17] |
Уменьшение усиления на высоких частотах происходит главным образом за счет шунтирующего действия барьерной емкости коллекторного перехода, емкостное сопротивление которого становится сравнимым по величине с гк. [18]
Барьерные емкости эмиттерных переходов хотя и имеют большие значения по сравнению с барьерной емкостью коллекторного перехода, но на процесс включения тиристора влияют значительно меньше, так как они шунтируют малые сопротивления эмиттерных переходов, включенных в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора в открытое состояние с увеличением скорости изменения анодного напряжения уменьшается. [20]
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода гк выше ( составляет величину несколько мегом), а барьерная емкость коллекторного перехода Ск. Так как ширина коллекторного перехода при изменении напряжения коллектора меняется несильно, то емкость Ск. [21]
 |
Зарядоуправляемая модель транзистора для активной нормальной области. [22] |
Схема замещения в результате введенных допущений значительно упрощается - рис. 6.16, в схему введена усредненная барьерная емкость коллекторного перехода. Эмит-терную барьерную емкость можно не учитывать, так как она шунтируется малым сопротивлением открытого эмит-терного перехода и практически не сказывается на инерционности транзистора. [23]
 |
Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [24] |
При этом необходимо также учесть, что выходная емкость интегрального транзистора состоит не только из барьерной емкости коллекторного перехода, но и из барьерной емкости изолирующего перехода между областью коллектора интегрального транзистора и остальной частью кристалла. [25]
 |
Временные зависимости тока управляющего электрода ( а, основного напряжения на тиристо ре ( б и основного тока через тиристор ( в, характеризующие процесс его включения. [26] |
Время нарастания для тиристора определяется инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базовых областях и инерционностью перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [27]
При этом по мере удаления от области первоначального включения обратное смещение эмиттерных переходов возрастает и вклад внешнего контура в процесс перезарядки барьерной емкости коллекторного перехода увеличивается. [28]
Это же способствует тому, что концентрацию примесей в базе диффузионного транзистора можно повысить для снижения ее сопротивления без существенного повышения барьерной емкости коллекторного перехода и падения его пробивного напряжения. [29]
Частотные свойства транзистора, включенного по схеме ОЭ, в активном режиме определяются в основном инерционностью процесса распространения подвижных носителей в базе и влиянием барьерной емкости коллекторного перехода в результате взаимодействия ее с сопротивлением в коллекторной цепи транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3