Диффузионная емкость - эмиттер
Cтраница 1
 |
Изменение распределения дырок в базовой области при изменении коллекторного напряжения и постоянном токе эмиттера. [1] |
Диффузионная емкость эмиттера возникает с изменением тока эмиттера. [2]
Диффузионная емкость эмиттера значительно превосходит барьерную. [3]
Диффузионная емкость эмиттера не будет специально изображаться на схемах; она должна учитываться лишь тогда, когда инерционность эмиттерного напряжения имеет самостоятельное значение. [4]
Диффузионная емкость эмиттера не будет специально изображаться на схемах; она должна учитываться лишь тогда, когда инерционность эмиттер ного напряжения имеет самостоятельное значение. [5]
Часто диффузионную емкость эмиттера используют в качестве элемента эквивалентной схемы. В этом случае ее величина зависит от места подключения емкости на схеме и от схемы включения транзистора. [6]
Иначе говоря, диффузионная емкость эмиттера заряжается неосновными носителями и, следовательно, наличие этой емкости никак не отражается на коэффициенте инжекции. [7]
На эквивалентных схемах диффузионная емкость эмиттера может служить для моделирования входного сопротивления транзистора. Рассчитывая распределение входного тока между переходом, зарядной емкостью перехода и диффузионной емкостью эмиттера, следует иметь в виду, что только ток зарядной емкости не участвует в инжекции неосновных носителей в область базы. [8]
Расчеты показывают, что диффузионная емкость эмиттера при сделанных пренебрежениях не оказывает влияния на переходный процесс в ключе. [9]
Иногда пользуются также понятием - диффузионная емкость эмиттера. [10]
 |
Изменения заряда в базе, обусловливающие диффузионные емкости эмиттера ( а и коллектора ( б. [11] |
Иначе говоря, можно считать, что диффузионная емкость эмиттера заряжается неосновными носителями и, следовательно, наличие этой емкости никак не отражается на коэффициенте инжекции. [12]
 |
Зависимости собственных параметров полупроводникового триода от температуры. [13] |
Так как коэффициент диффузии обратно пропорционален температуре, влияние ее на величину диффузионной емкости эмиттера незначительно. [14]
Эта емкость (5.158) по характеру зависимости от тока эмиттера и напряжения на коллекторе не отличается от диффузионной емкости эмиттера. [15]
Страницы: 1 2 3