Диффузионная емкость - эмиттер
Cтраница 3
Формула для расчета диффузионной емкости (5.150) указывает на ее линейную зависимость от тока эмиттера. На величину диффузионной емкости эмиттера влияет также напряжение на коллекторе, которое изменяет толщину базы до. Поэтому с увеличением напряжения на коллекторе диффузионная емкость эмиттера уменьшается. [31]
 |
Зависимости динамических параметров дрейфового транзистора от коэффициента неоднородности базы. [32] |
Подводя итог, можно сказать, что дрейфовые транзисторы, несмотря на специфику в структуре и физических процессах, описываются той же системой параметров и теми зкг эквивалентными схемами, что и бездрейфовые. В частности, остаются в силе соотношения ( 4 - 84) для схемы ОЭ. К числу таких формул относятся выражения ( 4 - 63) для диффузионной емкости эмиттера и выражение ( 4 - 86) для предельной частоты. [33]
 |
Зависимости динамических параметров дрейфового транзистора от коэффициента неодно-рддности базы. [34] |
Из рисунка видно, что при значениях t 2 - 3 выигрыш в величине та, обусловленный наличием поля, можно оценить примерно в 3 - 5 раз. Подводя итог, можно сказать, что дрейфовые транзисторы, несмотря на специфику в структуре и физических процессах, описываются той же системой параметров и теми же эквивалентными схемами, что и бездрейфовые. В частности, остаются в силе соотношения ( 4 - 84) для схемы ОЭ. К числу таких формул относятся выражения ( 4 - 63) для диффузионной емкости эмиттера и выражение ( 4 - 86) для предельной частоты. [35]
Страницы: 1 2 3