Диффузионная емкость - эмиттер
Cтраница 2
К числу особенностей дрейфовых транзисторов следует отнести и то, что высокие предельные частоты определяют малые значения диффузионной емкости эмиттера. Зарядная емкость эмиттера становится сравнимой по величине с диффузионной емкостью, и ею уже нельзя пренебрегать. [16]
Оценка показывает, что в нормальном режиме работы транзистора при расчетах можно пренебречь барьерной емкостью эмиттера по сравнению с диффузионной емкостью эмиттера и диффузионной емкостью коллектора по сравнению с барьерной емкостью коллектора. [17]
Из-за ограниченной толщины области базы количество инжектированных носителей в полупроводниковом триоде получается меньшим, меньше получается и емкость. Появление диффузионной емкости эмиттера иллюстрируется рис. 5.19. Заштрихованная область на рисунке условно показывает приращение числа инжектированных носителей в области базы, которому пропорционально приращение заряда. [18]
Формула для расчета диффузионной емкости (5.150) указывает на ее линейную зависимость от тока эмиттера. На величину диффузионной емкости эмиттера влияет также напряжение на коллекторе, которое изменяет толщину базы до. Поэтому с увеличением напряжения на коллекторе диффузионная емкость эмиттера уменьшается. [19]
При со ( ог / 2 диффузионная емкость становится частотно-зависимой. Можно легко подсчитать, что величина диффузионной емкости эмиттера значительно превосходит величину зарядной емкости. Так, например, для транзисторов, имеющих зарядную емкость коллектора порядка 10 пф, величина зарядной емкости эмиттер но го перехода не превышает 100 пф. В то же время при соа 6 - 107 сек 1 ( fa 10 Мгц) величина Сэд для тока iao 1 ма ( гэ ж 25 ом) составляет 800 пф. Дальнейший рост предельной частоты привел бы к выравниванию значений СЭз и Сэд, однако одновременно с увеличением предельной частоты стараются уменьшить и емкость коллектора путем уменьшения площади перехода с одновременным уменьшением площади эмиттерного перехода. [20]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и коллекторе можно сделать вывод о том, что для изменения заряда на одну и ту же величину эмиттерное напряжение необходимо изменять значительно меньше, чем коллекторное напряжение. Это означает, что диффузионная емкость коллектора меньше, чем диффузионная емкость эмиттера. [21]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и на коллекторе можно сделать вывод, что для того, чтобы изменить заряд в базе на одну и ту же величину, изменение эмиттерного напряжения должно быть значительно меньше изменения коллекторного напряжения. А это значит, что диффузионная емкость коллектора должна быть значительно меньше диффузионной емкости эмиттера. Действительно, в то время как диффузионная емкость эмиттера составляет тысячи и в лучшем случае сотни пикофарад, диффузионная емкость коллектора составляет единицы и даже доли пикофарады. [22]
 |
Эквивалент-ная схема эмиттерной. [23] |
Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей заряда в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией. [24]
 |
Зависимости параметров.| Зависимости параметров четырехполюсника, эквивалентного транзистору, от температуры. [25] |
Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией. [26]
 |
Зависимости параметров физической эквивалентной схемы транзистора ог температуры.| Зависимости Л - параметров транзнсторй от температуры. [27] |
Постоянная времени цепи эмиттера. При этом часть тока эмиттера, проходящая через активное сопротивление и диффузионную емкость эмиттера, связана с инжекцией носителей заряда в базу, а часть тока, проходящая через барьерную емкость, не связана с инжекцией. [28]
На эквивалентных схемах диффузионная емкость эмиттера может служить для моделирования входного сопротивления транзистора. Рассчитывая распределение входного тока между переходом, зарядной емкостью перехода и диффузионной емкостью эмиттера, следует иметь в виду, что только ток зарядной емкости не участвует в инжекции неосновных носителей в область базы. [29]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и на коллекторе можно сделать вывод, что для того, чтобы изменить заряд в базе на одну и ту же величину, изменение эмиттерного напряжения должно быть значительно меньше изменения коллекторного напряжения. А это значит, что диффузионная емкость коллектора должна быть значительно меньше диффузионной емкости эмиттера. Действительно, в то время как диффузионная емкость эмиттера составляет тысячи и в лучшем случае сотни пикофарад, диффузионная емкость коллектора составляет единицы и даже доли пикофарады. [30]
Страницы: 1 2 3