Cтраница 2
Здесь М - органическая молекула в роли восстановителя; О - молекула окислителя ( окисленная форма); Ьд - - молекула восстановителя ( восстановленная форма); Мд - органическая молекула в роли окислителя. [16]
Из схем вытекает, что на каждую молекулу восстановителя приходится десять молекул окислителя. [17]
Подсчитать число электронов, отдаваемое одной молекулой восстановителя и присоединяемое одной молекулой окислителя ( писать под соответствующими элементами); подобрать наименьшее кратное этих чисел. [18]
Чтобы уменьшить этот разброс, необходимо было бы воздействовать на тепловое равновесие молекул окислителя, которое в описанной выше методике зависит от первоначального распределения неровностей на поверхности нити и их размеров. [19]
Вычисление коэффициентов в окислительно-восстановительной реакции начинают с установления такого соотношения между числом молекул окислителя и восстановителя, при котором количество электронов, приобретаемых окислителем, равно количеству электронов, теряемых восстановителем. Для этого предварительно составляют схемы перехода электронов от восстановителя к окислителю. [20]
В концентрированных растворах азотной кислоты проявляется как бы конкурентное поведение большого числа молекул окислителя, не позволяющее отдельным молекулам восстановиться более глубоко. [21]
Вычисление коэффициентов в окислительно-восстановительной реакции начинают с установления такого соотношения между числом молекул окислителя и восстановителя, при котором количество электронов, приобретаемых окислителем, равно количеству электронов, теряемых восстановителем. Для этого предварительно составляют схемы перехода электронов от восстановителя к окислителю. [22]
Однако при больших d, когда прослойки окислителя велики, подавляющее большинство молекул окислителя сначала разлагается, и затем кислород диффундирует к поверхности частиц горючего. [23]
На основе этого примера приходим к общему выводу, что если в молекуле окислителя ( восстановителя) содержится два или более атома, претерпевающих изменение степени окисления, расчет числа принимаемых ( отдаваемых) электронов производится на молекулу в целом. [24]
Вычисление коэффициентов в окислительно-восстановительной реакции необходимо начать с установления такого соотношения между числом молекул окислителя и восстановителя, при котором количество электронов, приобретаемых окислителем, равно количеству электронов, теряемых восстановителем. Для установления такого соотношения рекомендуется вначале составить схемы перехода электронов от восстановителя к окислителю. [25]
Из схемы реакции вытекает, что на каждые две молекулы восстановителя надо взять три молекулы окислителя. [26]
Концентрация носителей на поверхности полупроводникового кристалла существенно зависит от концентрации адсорбированных в окисной пленке молекул окислителей или восстановителей, кислот или оснований, а также молекул воды и других полярных веществ. При этом молекулы кислот и окислителей увеличивают концентрацию дырок, а молекулы восстановителей, оснований, воды и других полярных веществ обогащают поверхность полупроводника электронами. [27]
Следует ожидать, что подобные металлы хорошо хемо-сорбируют акцепторы электронов или, используя химическую терминологию, хемосорбируют молекулы окислителей. Однако большая часть таких металлов не находит применения в катализе. Хемосорбция в этом случае дает начало химической реакции ( например, окислению металла), которая превращает металл в-другую - неметаллическую - фазу. Металлы, используемые в гетерогенном катализе, суть переходные металлы, или металлы, располагающиеся в периодической системе рядом с группами переходных металлов. [28]
Так как общее число электронов, отданных молекулами восстановителя, должно быть равно общему числу электронов, присоединенных молекулами окислителя, то уравнение процесса окисления нужно умножить на 2, а затем сложить оба уравнения. [29]
В первом случае происходит перекрывание антисвязы-вающей ( или несвязьгвающей) d - орбитали металла с антисвя-зывающей орбиталью аниона или молекулы окислителя. По законам симметрии такое перекрывание может осуществиться, например, между у-орбиталью металла и per антисвязываю-щей орбиталью связи X - О или О - О. Затем происходит передача электрона с d - орбитали на р, о-орбиталь и последующий разрыв связи X - О или О - О с образованием ион-радикалов. Для такого перекрывания необходима строго определенная и не самая выгодная с энергетической точки зрения ориентация атома металла по отношению к атому О и X. Ориентация может быть облегчена при участии подходящих лигандов, например оксикислот, выступающих при этом в качестве активаторов. [30]