Cтраница 2
Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена как более электроотрицательному. [16]
Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена, как более электроотрицательному. [17]
![]() |
Схема перекрывания пм 151 Пм. [18] |
Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена как более электроотрицательному. [19]
Алкины присоединяют последовательно две молекулы галогеноводорода. Сначала образуется мо-ногалогензамещенный алкен, а затем дигалогензамещенный алкан. Присоединение идет по правилу Марковникова: атом водорода присоединяется к более гидрогенизированному атому углерода. В результате получаются дигалогеналканы, у которых оба атома галогена находятся при одном и том же атоме углерода. [20]
Объясним это на примере молекул галогеноводородов. [21]
Прочность химической связи в молекулах галогеноводородов закономерно падает в ряду HF-НС. Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к III уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Дроме тою, в ряду F - С1 - Вг-I электрсотри-цательность атома галогена уменьшается. [22]
Взаимодействие получающихся галогенгидринов со второй молекулой галогеноводорода, приводящее к образованию дигалогенэтиленов, протекает настолько медленно, что в условиях реакции, принятых при определении оксидной группы, им можно пренебречь. [23]
![]() |
Схема перекрывания электронных облаков при образовании молекул HF и HI. [24] |
С уменьшением прочности связи в молекулах галогеноводородов падает и их устойчивость к нагреванию. [25]
Общей особенностью этих процессов является выделение молекул галогеноводородов в результате реакции, участие в качестве реагентов ( или продуктов) органических галогенидов, а в качестве катализаторов - галогенидов меди, склонных к образованию галогенидных комплексов. [26]
В непосредственной близости от области двойной связи молекула галогеноводорода ориентируется к ней атомом водорода. [27]
В некоторых случаях от продукта присоединения отщепляется молекула галогеноводорода ( см. стр. [28]
Из приведенных выше значений эффективных зарядов в молекулах галогеноводородов следует, что по мере выравнивания элек-троотрицателыюстей галогена и водорода связь становится все менее полярной, и в молекуле HI ее можно считать чисто ковалентной. В молекуле HF атом фтора полностью не отрывает электрон от атома водорода, обобществленная электронная пара оказывается лишь частично смещенной к наиболее электроотрицательному элементу. [29]
В какой последовательности изменяется значение электрического момента диполя молекул галогеноводородов от HF к HI. По этим данным какая из галогеноводородных кислот должна быть самой сильной кислотой и какой она оказывается в действительности. [30]