Молекула - галогеноводород - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Нет такой чистой и светлой мысли, которую бы русский человек не смог бы выразить в грязной матерной форме. Законы Мерфи (еще...)

Молекула - галогеноводород

Cтраница 2


Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена как более электроотрицательному.  [16]

Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена, как более электроотрицательному.  [17]

18 Схема перекрывания пм 151 Пм. [18]

Химическая связь в молекулах галогеноводородов - полярная ковалентная: общая электронная пара смещена к атому галогена как более электроотрицательному.  [19]

Алкины присоединяют последовательно две молекулы галогеноводорода. Сначала образуется мо-ногалогензамещенный алкен, а затем дигалогензамещенный алкан. Присоединение идет по правилу Марковникова: атом водорода присоединяется к более гидрогенизированному атому углерода. В результате получаются дигалогеналканы, у которых оба атома галогена находятся при одном и том же атоме углерода.  [20]

Объясним это на примере молекул галогеноводородов.  [21]

Прочность химической связи в молекулах галогеноводородов закономерно падает в ряду HF-НС. Связь здесь ослабляется по тем же причинам, которые были рассмотрены при сопоставлении прочности молекул свободных галогенов ( стр. Как показывает схема ( рис. 107), при переходе, например от HF к III уменьшается степень перекрывания электронных облаков атомов водорода и галогена, а область перекрывания располагается на большем расстоянии от ядра атома галогена и сильнее экранируется возросшим числом промежуточных электронных слоев. Дроме тою, в ряду F - С1 - Вг-I электрсотри-цательность атома галогена уменьшается.  [22]

Взаимодействие получающихся галогенгидринов со второй молекулой галогеноводорода, приводящее к образованию дигалогенэтиленов, протекает настолько медленно, что в условиях реакции, принятых при определении оксидной группы, им можно пренебречь.  [23]

24 Схема перекрывания электронных облаков при образовании молекул HF и HI. [24]

С уменьшением прочности связи в молекулах галогеноводородов падает и их устойчивость к нагреванию.  [25]

Общей особенностью этих процессов является выделение молекул галогеноводородов в результате реакции, участие в качестве реагентов ( или продуктов) органических галогенидов, а в качестве катализаторов - галогенидов меди, склонных к образованию галогенидных комплексов.  [26]

В непосредственной близости от области двойной связи молекула галогеноводорода ориентируется к ней атомом водорода.  [27]

В некоторых случаях от продукта присоединения отщепляется молекула галогеноводорода ( см. стр.  [28]

Из приведенных выше значений эффективных зарядов в молекулах галогеноводородов следует, что по мере выравнивания элек-троотрицателыюстей галогена и водорода связь становится все менее полярной, и в молекуле HI ее можно считать чисто ковалентной. В молекуле HF атом фтора полностью не отрывает электрон от атома водорода, обобществленная электронная пара оказывается лишь частично смещенной к наиболее электроотрицательному элементу.  [29]

В какой последовательности изменяется значение электрического момента диполя молекул галогеноводородов от HF к HI. По этим данным какая из галогеноводородных кислот должна быть самой сильной кислотой и какой она оказывается в действительности.  [30]



Страницы:      1    2    3    4