Cтраница 1
![]() |
Относительное расположение fх - 7. [1] |
Примесные молекулы также дают характерные спектральные полосы поглощения и флуоресценции. Вообще же флуоресценция Г - центра наблюдается только в том случае, если его уровень энергии лежит ниже уровня примеси; в противном случае происходит быстрая передача энергии от Х - центра к ближайшей примеси, и обнаружить флуоресценцию f - центра невозможно. По-видимому, уровни энергии некоторых А - центров лежат выше уровней основных молекул, но из-за большого коэффициента поглощения самого кристалла и низкой концентрации А - центров наблюдать эти уровни спектроскопически не удается. Тем не менее обнаружить - центры, уровни которых лежат выше 0 - 0-перехода кристалла, в принципе возможно, так как если эти центры не захватывают экситоны, то они должны участвовать в их рассеянии. Процессы рассеяния приводят к уменьшению эффективного коэффициента диффузии экситонов. [2]
![]() |
Зависимость эффективности Ф фотогенерации носителей в ПВК от длины волны возбуждающего света X. Температура 296 К, напряженность электрического поля 2 0 105 В /. [3] |
Присутствие примесных молекул с акцепторными свойствами приводит к формированию эксиплексов в результате взаимодействия релаксирован-ных состояний, образовавшихся из т, и невозбужденной примеси. [4]
Из примесных молекул образовывать стабильные ионы способны лишь углеводороды, но в связи с относительно большими размерами их проникновение внутрь оксидного слоя затруднено. [5]
Помимо захвата экситонов примесными молекулами, которые имеют более низколежащие уровни энергии возбуженных состояний, чем молекулы кристалла-матрицы, может происходить автолокализация ( самозахват) экситонов на молекулах матрицы. Согласно результатам Тоедзавы и Ши-нозуки [271], в гомомолекулярных ароматических органических кристаллах автолокализация экситонов Френкеля маловероятна. Однако если рассматривать формирование эксимеров, уровни энергии которых лежат под экси-тонной зоной, как автолокализацию экситонов, то можно было бы привести данные об автолокализованных экситонах в таких кристаллах. Унифицированное рассмотрение различных типов автолокализации и их связи с нарушающими симметрию неустойчивостями, индуцируемыми фононным полем, можно найти в работе Тоедзавы [272] ( см. также разд. [6]
Иногда же определенного типа примесные молекулы содержатся в кристалле просто по той причине, что от них оказывается трудным избавиться при его выращивании. [7]
Если непосредственно перед фронтом ступени примесные молекулы распределены равномерно со средним промежутком z ( z2pKp), то ступени могут протискиваться сквозь примесный барьер. Если же z 2ркр, то ступень закрепляется. [8]
![]() |
Расчетные зависимости дихроического отношения от угла между длинной осью молекулы и осциллятором по. [9] |
Формула (2.29) справедлива и для примесных молекул ( например, красителей), растворенных в жидкокристаллических матрицах. [10]
Таким образом, с помощью примесных молекул, используемых в качестве зондов, для полиэтилена удалось обнаружить различия в плотности аморфных областей в транскристаллических поверхностных слоях, морфология которых практически не зависит от температурного режима плавления и кристаллизации. Было установлено также, что резкое возрастание плотности аморфных областей в граничных слоях полимера не связано с транскристалличностью поверхностного слоя. Методом молекулярного зонда показано также, что температурные режимы плавления и кристаллизации пленок могут оказывать нивелирующее действие на изменение структуры поверхностных слоев таким образом, что энергетические характеристики подложки практически не будут проявляться. Важен лишь сам факт существования этой поверхности. Кроме того, при рассмотрении процессов, протекающих в граничных слоях полимеров, следует обращать внимание на возможность сочетания нескольких факторов, влияющих на формирование структуры. Так, плавление с неполным разрушением исходных структур на высокоэнергетических подложках может привести к образованию напряженных поверхностных структур, к существенному увеличению плотности аморфных областей в этих структурах. При отделении такой полимерной пленки от подложки напряженные структуры испытывают релаксацию, в ряде случаев проходящую через стадию аморфизации с последующей рекристаллизацией. [11]
Заместим теперь нулевую молекулу матрицы примесной молекулой. [12]
Энергия бесфононного перехода А может у разных примесных молекул из-за различия значений внутрикристаллического поля, вообще говоря, отличаться. При этом появляется так называемое неоднородное уширение спектральных линий. При наличии неоднородного уширения экспериментально наблюдаемая форма бесфононной линии не является лоренцевой и зависит от случайного распределения уровней возбуждения в молекулах примеси. Если это распределение гауссово, то экспериментально наблюдаемая форма линии является сверткой гауссиана с лорен-цианом. [13]
Используя примесные кристаллы С10Н8 - C10Dg с концентрациями примесных молекул С 0Н8 от 0 1 до 20 %, они обнаружили, что ID - 1ХР, где х является функцией интенсивности возбуждения, интервала времени после возбуждения и концентрации примеси. При Т 1 7 К величины х лежат в интервале от 2 до - 30 и монотонно возрастают с уменьшением концентрации нафталина. Классическая кинетика справедлива для примесных кристаллов, когда концентрация примеси выше порога протекания ( в случае триплет-триплетной аннигиляции это соответствует С 10 % молярной доли); в этом случае / 1 и 7 не зависит от времени. Ранее было показано [10], что ограниченные кластером случайные блуждания имеют свойства, характерные для кинетики в условиях протекания. [14]
Знак минус в этом уравнении указывает на направление перемещения примесных молекул в сторону уменьшения их концентрации. [15]