Дифференциальная емкость

Cтраница 2

Дифференциальная емкость двойного слоя определяется выражением Cd dQldq, в котором Q - заряд поверхности электрода. В постоянном по составу растворе Cd является функцией потенциала электрода. [16]

Дифференциальная емкость См-а плотного слоя была рассчитана в разделе 2 гл. III при предположении, что она является функцией только заряда электрода и не зависит от концентрации электролита. [17]

Дифференциальная емкость двойного электрического слоя является чрезвычайно чувствительной функцией адсорбции органических молекул на поверхности электрода. [18]

Кривые дифференциальной емкости ртутного электрода в чистом 0 9 N растворе NaF ( пунктир, а также с добавками. третичного амилового спирта. [19]

Кривые дифференциальной емкости в присутствии органических веществ имеют сложную форму, как это видно из рис. 1, на котором представлена зависимость емкости ртутного электрода С от его потенциала р в растворах третичного амилового спирта на фоне. [20]

Принципиальная схема им-педансного моста для электрохимических измерений. [21]

Кривые дифференциальной емкости позволяют также иногда определить, как ориентируется адсорбционная молекула на поверхности. В работе [66] было показано, что в отличие от алифатических соединений, для которых оба максимума на кривых С-ср связаны с процессами адсорбции, для ароматических или гетероциклических соединений, например анилина, этим процессам отвечают только катодные максимумы. Анодные же связаны с процессом переориентации молекул анилина на поверхности ртути; вертикальное расположение молекул, характерное для отрицательно заряженной поверхности, сменяется плоским расположением, при котором я-электроны бензольного кольца вступают во взаимодействие с положительными зарядами поверхности ртути. [22]

Измерение дифференциальной емкости на сухой поверхности полупроводника производится весьма редко. Широкому его распространению препятствует следующее обстоятельство. Емкость конденсатора: полупроводник-диэлектрик-металлический ( полевой) электрод, подключенного последовательно с измеряемой поверхностной емкостью полупроводника, весьма низка, и это ограничивает возможности метода областью еще более низких емкостей. [23]

Метод дифференциальной емкости можно использовать для определения нулевых точек любых металлов, однако в случае твердых металлов появляются осложнения, значительно затрудняющие интерпретацию полученных результатов. Затруднения связаны с тем, что многие твердые металлы, в частности все металлы железной и платиновой групп, способны адсорбировать и окклюдировать значительные количества водорода или кислорода. Это должно влиять и на величину дифференциальной емкости двойного слоя, и на характер изменения ее хода с потенциалом. [24]

Метод дифференциальной емкости позволяет определять емкость двойного слоя на контакте горной породы с водными растворами минеральных солей. [25]

Метод дифференциальной емкости позволяет экспериментально оценить толщину диффузной части двойного слоя в электролитах с различной концентрацией ионов. [27]

Метод дифференциальной емкости можно использовать для определения нулевых точек любых металлов, однако в случае твердых металлов появляются - осложнения, значительно затрудняющие интерпретацию полученных результатов. Затруднения связаны с тем, что многие твердые металлы, в частности все металлы железной и платиновой групп, способны адсорбировать и окклюдировать значительные количества водорода или кислорода. Это должно влиять и на величину дифференциальной емкости двойного слоя, и на характер изменения ее хода с потенциалом. [28]

Кривые заряда roeepxi ости на границе раствор / лтуть в 1 н. KNOj ( / и с добавками амида никотиновой кислоты ( 2 - 4. [29]

Кривые дифференциальной емкости, снятые в присутствии изомеров дипиридила с помощью моста переменного тока, близки по форме к кривым, полученным ранее с помощью вектор-полярографа ЦЛА. Из С - ф-кривых графическим интегрированием получены зависимости заряда от потенциала ( о - ф) при различной концентрации изомеров дипиридила. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5