Дифференциальная емкость

Cтраница 3

Измерения дифференциальной емкости позволяют обратным интегрированием С - ф-кривых [50 ] определять потенциалы нулевого заряда в растворах, содержащих поверхностно-активные анионы. Определенный таким образом сдвиг потенциала нулевого заряда свинца [49] в 0 1 N растворах NaBr и NaJ относительно потенциала нулевого заряда, определенного во фтористом натрии, составляет 70 и 200 мв соответственно. [31]

Установка дифференциальной емкости, шунтирование ее переменным дросселем, наличие обратных связей в усилителях дают возможность уменьшить влияние толчков при движении транспортера, что может вызвать резкое повышение давления на выходе преобразователя, нарушить плавную и устойчивую работу регулирующего устройства, а следовательно, и питателя. [32]

Метод дифференциальной емкости дает основание, правда приближенно, оценить суммарное заполнение поверхности и реагирующим веществом и продуктом реакции. Однако, в отличие от поверхностного натяжения, дифференциальную емкость двойного слоя можно измерять и в условиях, при которых адсорбция еще далека от равновесной. Единственный способ, который может быть использован-для определения поверхностной концентрации реагирующего вещества при прохождении фарадеевского тока - хронопотенциометрический метод, по которому для расчета Г необходимо знать количество электронов z, участвующих в реакции. [33]

Дискретная токовая модель нелинейной емкости. [34]

Зависимость дифференциальной емкости Cd от напряжения обозначим индексом, согласованным с соответствующим индексом напряжения. [35]

Измерение дифференциальной емкости двойного электрического слоя ( С) мостовым методом ( с раздельной компенсацией активной и реактивной компонент импеданса) возможно с точностью, в десятки раз превышающей точность измерения а. Расчет 9 по результатам измерений С связан с использованием нетермодинамической формулы, справедливость которой, однако, была проверена для ряда алифатических и некоторых ароматических незаряженных соединений. В случае веществ, в молекулах которых имеются л-электроны, метод применим лишь в области потенциалов, где ртуть заряжена отрицательно. [36]

Значения дифференциальной емкости двойного электрического слоя на ртутном электроде в водных и спиртовых растворах серной кислоты приведены при 20 С. [37]

Исследование дифференциальной емкости двойного слоя деформируемого металла в присутствии поверхностно активных веществ - ингибиторов коррозии позволяет определить влияние деформации на адсорбируемость ингибиторов и установить возможность защиты ингибиторами пластически деформированного металла. [38]

Зависимость дифференциальной емкости С стального электрода при стационарном потенциале коррозии и стационарного потенциала коррозии Ф от деформации F. [39]

Исследование дифференциальной емкости двойного слоя деформируемого металла в присутствии поверхностно-активных веществ - ингибиторов коррозии позволяет определить влияние деформации на адсорбируемость ингибиторов и установить возможность защиты ингибиторами пластически деформированного металла. [40]

С - дифференциальная емкость; D - коэффициент диффузии; со - циклическая частота переменного тока; R - газовая постоянная; Т - абсолютная температура; п - число электронов; F - число Фарадея. [41]

Схема структуры МДП на основе полупроводника р-типа. [42]

Сист - удельная дифференциальная емкость приповерхностной ОПЗ. [43]

Сдс - дифференциальная емкость двойного слоя; GHC - так называемая псевдоемкость, связанная с протеканием электрохимической реакций. Адсорбция заряженных частиц по-разному влияет на оба этих слагаемых, а изменение емкости влечет за собой изменение емкостного тока и формы полярограммы. [44]

С - дифференциальная емкость двойного слоя, а См-2 и C2 - s - дифференциальные емкости плотного и диффузного слоя, соответственно. Из уравнения ( 13) видно, что двойной слой эквивалентен двум последовательно соединенным конденсаторам. Теория Гун - Чапмана позволяет рассчитать только емкость Сг-я, и это является по крайней мере одной из основательных причин расхождения между экспериментом и предсказаниями теории. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5