Потенциальный барьер
Cтраница 2
Потенциальный барьер возникает не только при контактировании полупроводников с различными видами проводимости. Контактная разность потенциалов, а следовательно, и потенциальный барьер имеют место при контактировании любых двух материалов с разными уровнями Ферми. Однако заметно выраженная нелинейность перехода обнаруживается не всегда. Например, она практически не обнаруживается при контакте металл - металл. [16]
Потенциальный барьер имеет сравнительно плоскую вершину. [17]
Потенциальные барьеры при заторможенном внутреннем вращении в свободных молекулах относительно одинарных связей достигают нескольких десятков кДж / моль. [18]
 |
Уровень Ферми в кристалле германия. [19] |
Потенциальный барьер от п-области к р-области для электронов представлен подъемом дна пустой зоны. Потенциальный барьер для дырок может быть представлен как верх заполненной зоны с перевернутым вертикальным направлением, так как энергетические зоны вычерчены для электронов, а не для дырок. Таким образом, видим, что электроны в п-области должны преодолеть потенциальный барьер, чтобы войти в р-область, а дырки в р-области должны преодолеть потенциальный барьер, чтобы войти в п-область. [20]
Потенциальный барьер на контакте двух полупроводников в отсутствие внешнего поля и при поданном напряжении того и другого знака. [21]
Потенциальный барьер между р - и л-областью соответственно уменьшается. Диффузия основных носителей через р-л-пе-реход значительно облегчается и во внешней цепи возникает ток, примерно равный току диффузии. [22]
 |
Схемы включения фототранзистора. [23] |
Потенциальный барьер понижается, это приводит к увеличению потока носителей, переходящих в базу из эмиттера. Часть носителей рекомбинирует в базе. [24]
 |
Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения.| Характеристика германиевого диода. [25] |
Потенциальный барьер создает эффект односторонней проводимости, на чем основывается действие полупроводниковых диодов как выпрямителей. На рис. 3 - 4 приведена вольт-амперная характеристика диода. [26]
 |
Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения.| Характеристика германиевого яиода. [27] |
Потенциальный барьер создает эффект односторонней проводимости, на чем основывается действие полупроводниковых диодов как выпрямителей. На рис. 3 - 4 приведена вольт-амперная характеристика диода. Если к диоду приложить напряжение минусом к р-области и плюсом к - области ( обратное напряжение), то направление внешнего электрического поля совпадет с направлением поля перехода, отчего исходный потенциальный барьер повысится и основные носители зарядов еще больше удалятся от перехода, образуя довольно широкую область, сильно обедненную этими носителями и, следовательно, близкую к изолятору. [28]
Потенциальный барьер, таким образом, для одних ионов уменьшается, для других увеличивается. [29]
Потенциальный барьер, таким образом, для одних ионов уменьшается, для других - увеличивается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5