Потенциальный барьер

Cтраница 4

Потенциальный барьер в левой части транзистора удерживает дырки вне области и-типа, поэтому снижение его, вызванное положительным потенциалом Ve, приводит к переходу избыточных дырок в область - типа. [46]

Потенциальный барьер, конечно, стоит на пути не только тех частиц, которые стремятся проникнуть в ядро, но и частиц, вылетающих из ядра. [47]

Потенциальный барьер, разделяющий оба конформера, составляет для формильного производного 75, а для ацетильного - 59 кДж / моль. [48]

Схема п - / э-фото-элемента, включенного в запирающем направлении ( фотодиодный режим. [49]

Потенциальный барьер для неосновных носителей отсутствует, а ток пропорционален их концентрации, которая определяется темпом термической и оптической генерации. [50]

Потенциальный барьер образован неподвижными зарядами: положительными и отрицательными ионами. Емкость, обусловленная этими зарядами, называется барьерной. При изменении запирающего напряжения меняется толщина р-и-перехода, а следовательно, и его емкость. Величина барьерной емкости пропорциональна площади р-и-перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. При малом обратном напряжении толщина / - и-перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. [51]

Потенциальные барьеры Woi и № 02 выражают рост потенциальной энергии изолированной молекулы по отношению к ее минимальному значению при ааМин при поворотах в конформации с плоским ( а 0) и соответственно перпендикулярным ( а90) расположением бензольных колец в молекуле бифенила и его метилзамещенных. Природа этих барьеров различна. Барьер же Wo2, препятствующий кольцам занять перпендикулярное положение, вызывается только сопротивлением самой сопряженной химической связи между кольцами. [52]

Межкристаллитные потенциальные барьеры являются препятствием для прохождения носителей заряда в поликристаллических слоях и в ряде случаев значительно снижают подвижность носителей по сравнению с монокристаллическими материалами. В пленках, толщина которых сравнима с размером зерен, межзеренные потенциальные барьеры оказывают более существенное влияние на проводимость в плоскости, параллельной пленке, чем поперек нее. [53]

Потенциальный барьер V, помимо г М а, зависит от величин I к т, соответствующих сфероидальным гармоническим индексам, и от частоты со. Конкретная форма этой зависимости дана в цитированных выше работах. Уравнение (4.7.1) справедливо вне источника возмущений. При наличии источника правая часть (4.7.1) отлична от нуля. [54]

Многомерный потенциальный барьер может быть аппроксимирован одномерным барьером вдоль координаты реакции. [55]

Потенциальный барьер UK одинаковым образом действует и на электроны, и на дырки - поле р-п-перехода способствует переходу неосновных и препятствует переходу основных носителей заряда из каждой области. Если их, учесть, то можно получить другую зависимость V ( х), однако основной результат, связанный с возникновением объемного заряда и объемного поля в области изменения типа примеси, остается в силе. [56]

Потенциальный барьер Woz, препятствующий взаимно перпендикулярному расположению бензольных колец в дифениле и его метилпроизводных при любом положении метальных групп, а также во всех терфенилах, определяется главным образом уменьшением энергии сопряжения бензольных колец, происходящим при увеличении угла поворота а. Можно ожидать поэтому, что барьеры W02 близки как для дифенила и его метил - и фенилзамещен-ных, выделенных в первую группу, так и для его метил - и фенилза-мещенных, выделенных во вторую группу. В ряду же молекул второй группы барьер Wo2 также не должен сильно изменяться, но барьер WQI должен расти по мере замещения атомов водорода, находящихся в орто-положении к связи между бензольными кольцами, на метальные или фенильные ( у орго-терфенила) группы. [57]

Устройство симистора ( а и его ВАХ ( б. [58]

Потенциальный барьер запертого перехода Я2 снижается, по структуре от В до52 проходит прямой ток / Пр. По структуре проходит обратный ток / Обр - В случае положительной полярности на УЭ ( на электродах В -, В2) предварительно закрытый переход Я2 откроется вследствие инжекции электронов из области з и по структуре пройдет ток. [59]

Максимум потенциального барьера при сольватации активированного комплекса понижается на ЛЯ - теплоту сольватации. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5