Потенциальный барьер

Cтраница 1

Распределение абсолютного отрицательного заряда в кулонах Q-S ( R на краю металлического верхнего контакта в виде плоского диска по его радиусу R для структуры р - п-п - типа. [1]

Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащий с металлом, исследован немецким ученым В. Дальнейшие исследования [55] показали, что для возникновения барьера Шоттки в структуре металл-полупроводник необходимо, чтобы работа выхода электронов из металла Фм и полупроводника Фп была больше Фм Фп, металл заряжается отрицательно, а полупроводник - положительно. [2]

Потенциальный барьер, к-рый может возникнуть в потоке заряж. [3]

Потенциальный барьер канал - подложка закорачивается, и неравновесные носители рекомбинируют во внешней цепи. [4]

Потенциальный барьер образован неподвижными зарядами: положительными и отрицательными ионами. Емкость, обусловленная этими зарядами, называется барьерной. При изменении запирающего напряжения меняется толщина р-и-перехода, а следовательно, и его емкость. Величина барьерной емкости пропорциональна площади / 7-и-перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. При малом обратном напряжении толщина р-и-перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. [5]

Потенциальный барьер на границах раздела различных фаз ( вакуум - твердое тело, МД, ДП и др.) формируется с участием сил химической связи, сил зеркального изображения, представляющих собой кулоновские силы притяжения между электроном и индуцированным им положительным зарядом F3 - е2 / 4яеде0 ( 2л:) 2, и внешнего электрического поля. Внешнее поле и силы зеркального изображения приводят к понижению общей высоты барьера и его сужению. [6]

Распределение электронного и дырочного токов в полупроводнике с р-п переходом при прямом смещении. [7]

Потенциальный барьер на переходе при прямом смещении, как было отмечено выше, уменьшается и становится равным ффк - UF. Если в (1.11) вместо рк подставить значение q, то легко убедиться, что толщина слоя объемного заряда перехода уменьшается с ростом прямого напряжения. Барьерная же емкость перехода согласно (1.12) будет при этом расти. [8]

Потенциальный барьер в переходе ( называемый также контактной разностью потенциалов) создает тормозящее поле для основных и ускоряющее для неосновных носителей. Такое же количество диффундирующих основных носителей, преодолевающее тормозящее действие поля, перемещается через р-п-переход в противоположном направлении, образуя диффузионную составляющую тока. [9]

Потенциальный барьер при этом еще более увеличивается, так что ток из га-области падает ниже / о. Легко видеть, что формула ( 16) и в этом случае правильно описывает величину тока, проходящего через п - р-переход. При ист 0 этот ток меняет направление. [10]

Зависимости токов пентода от напряжения на аноде. [11]

Потенциальный барьер в плоскости третьей сетки не дает возможности электронам, выбиваемым из анода, перейти на экранирующую сетку. [12]

Потенциальный барьер или внутреннее электрическое поле приводит к тому, что в узкой области полупроводник обеднен подвижными носителям ( дырками и электронами), так как электрическое поле как бы расталкивает их по обе стороны от барьера. Поэтому в отличие от однородных областей р и п сопротивление этого обедненного слоя оказывается даже большим, чем у химически чистого полупроводникового материала. [13]

Потенциальный барьер, который преодолевает протон при некоторых кислотно-основных реакциях, должен иметь толщину порядка 1 - 2 А, чтобы при таких реакциях туннельный эффект принимался в расчет. [14]

Появление эк-ранирующего слоя в полупроводнике, помещенном в электростатическое поле.| Искривление энергетических зон под действием внешнего электрического поля в полупроводнике п-типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5