Монокристалл - карбид - кремний
Cтраница 1
Монокристаллы карбида кремния полупроводниковой чистоты используются для изготовления выпрямителей на рабочую температуру до 800 К, для низковольтных маломощных сигнальных источников света, для счетчиков частиц высокой энергии, излучателей и других целей. [1]
Для монокристаллов карбида кремния в отличие от большинства полупроводниковых материалов характерно расположение малоугловых границ под углом 120, что соответствует наличию оси симметрии VI порядка в плоскости ( 0001) и часто свидетельствует о происходящем процессе полигонизации. [2]
Получение монокристаллов карбида кремния кубической модификации P - S1C и исследование их структуры. [3]
Сильное растравление монокристаллов карбида кремния по периферии капли объясняется существующим градиентом концентрации углерода и диффузионным переходом углерода в кремний. [4]
 |
Конструкция одноразрядного знакового индикатора ( цифрового индикатора. [5] |
Однако технология изготовления монокристаллов карбида кремния и технология формирования выпрямляющих электрических переходов в этих монокристаллах отличаются сложностью. Кроме того, в полупроводниковых излучателях из карбида кремния не удается получить высокий квантовый выход. [6]
Плоскостные р-п-пере-ходы на монокристаллах карбида кремния позволяют получить выпрямители на рабочие температуры до 600 С. [7]
Электронно-дырочные переходы в монокристаллах карбида кремния могут быть получены различными методами: в процессе выращивания кристаллов методом сублимации, методом жидкостной эпитаксии, методом газовой эпитак-сии, вплавлением, ионной имплантацией, методом диффузии из газовой фазы. [8]
В настоящей работе исследовались монокристаллы карбида кремния, полученные перекристаллизацией из паровой фазы, причем исходным материалом служил как технический карбид кремния, так и карбид кремния, полученный методом термического разложения. [9]
В настоящей работе исследовались монокристаллы карбида кремния, полученные перекристаллизацией из паровой фазы, причем исходным материалом служил как технический карбид кремния, так и карбид кремния, полученный методом термического разложения. [10]
Одним из перспективных применений монокристаллов карбида кремния является использование их для электролюминесцентных источников света. В последнее время электролюминесцентные источники света изготовляют как на монокристаллах, полученных методом сублимации, так и на техническом карбиде кремния с удельным сопротивлением порядка 0 01 - 0 1 ом см. Однако технические монокристаллы карбида кремния обладают большей неоднородностью свечения по объему но сравнению с выращенными методом сублимации. Очевидно, необходимо знать, какие примеси способствуют электролюминесценции р - - переходов, и уметь вводить их в необходимых количествах. [11]
Одним из перспективных применений монокристаллов карбида кремния является использование их для электролюминесцентных источников света. В последнее время электролюминесцентные источники света изготовляют как на монокристаллах, полученных методом сублимации, так и на техническом карбиде кремния с удельным сопротивлением порядка 0 01 - 0 1 ом см. Однако технические монокристаллы карбида кремния обладают большей неоднородностью свечения по объему по сравнению с выращенными методом сублимации. Очевидно, необходимо знать, какие примеси способствуют электролюминесценции р - п-переходов, и уметь вводить их в необходимых количествах. [12]
Приведены данные по свойствам монокристаллов карбида кремния особой чистоты, полученных методом пересублимации. [13]
Наиболее распространенным методом выращивания монокристаллов карбида кремния полупроводниковой чистоты является метод сублимации. Этим методом выращивают кристаллы карбида кремния п - и р-типа электропроводности, размером в поперечнике до 30 мм. В качестве исходного сырья применяют порошкообразный карбид кремния, синтезированный из кремния и углерода полупроводниковой чистоты. Нагрев тигля осуществляют в цилиндрических печах сопротивления или в печах с индукционным нагревом. Кристаллы выращивают в атмосфере инертного газа ( чаще всего аргон) при температурах 2400 - 2600 LC. Зарождение кристаллов происходит в зоне роста преимущественно на отверстиях в графитовой диафрагме. Кристаллы вырастают в виде тонких пластинок гексагонального габитуса. [14]
В общем, в технических монокристаллах карбида кремния линейные дефекты, связанные с характером роста и пластической деформацией, разнообразны и достаточно многочисленны. Методы травления и рентгеновской микроскопии могут быть использованы для отбора наиболее совершенных кристаллов для полупроводниковых приборов. [15]
Страницы: 1 2 3