Cтраница 3
По мнению авторов: M ( i ], процесс роста поли и монокристаллов карбида кремния идет через встраивание отдельных а юмон С и Si в решетку растущих кристаллов карбида кремния. [31]
Источниками столь сложного политипизма в карбиде кремния являются своеобразный дислокационный механизм ( через винтовые дислокации) роста монокристаллов карбида кремния и некоторые определенные термодинамические предпосылки. Все серии политипов карбида кремния могут быть выведены из основных фаз этого соединения с помощью винтовых дислокаций. [32]
Необходимо отметить, что в результате проведения этих измерений, была показана возможность существенного упрощения зондовых измерений на карбиде кремния, если монокристаллы карбида кремния перед измерениями подвергать температурной обработке в нейтральном газе. После такой обработки отпадает необходимость формовки четырех зондов высоким напряжением при измерениях удельного сопротивления, электрический контакт осуществляется при непосредственном соприкосновении зондов с поверхностью кристалла. По этой причине возможным становится измерение эффекта Холла без предварительного вплавления омических контактов при высоких температурах. [33]
Разработка метода нанесения слоя пироуглерода на графитовую поверхность ставила своей целью получение возможно более непроницаемых для аргона и паров кремния контейнеров, применяемых для выращивания монокристаллов карбида кремния сс-мо-дификации перекристаллизацией из паровой фазы, поскольку в этом процессе значительную трудность представляет удержание паров карбида кремния в зоне выращивания монокристаллов, подавление происходящей одновременно диссоциации карбида кремния и предотвращение проникновения аргона из объема печи внутрь тигля. [34]
Разработка метода нанесения слоя пироуглерода на графитовую поверхность ставила своей целью получение возможно более непроницаемых для аргона и паров кремния контейнеров, применяемых для выращивания монокристаллов карбида кремния а-мо-дификации перекристаллизацией из паровой фазы, поскольку в этом процессе значительную трудность представляет удержание паров карбида кремния в зоне выращивания монокристаллов, подавление происходящей одновременно диссоциации карбида кремния и предотвращение проникновения аргона из объема печи внутрь тигля. [35]
В дальнейшем появилась необходимость выяснить, существует ли такая связь, поскольку в работе [3] обнаружена существенная разница в электропроводности, эффекте Холла и энергии ионизации ( из температурной зависимости электропроводности и коэффициента Холла) черных и желто-зеленых монокристаллов карбида кремния. [36]
С целью выяснения влияния нанесенных на контейнеры пиро-углеродных покрытий на величину потерь кремния, испаряющегося в процессе сублимации карбида кремния из контейнера, а также на величину, количество и качество получаемых кристаллизацией из паровой фазы монокристаллов карбида кремния - модификации были поставлены опыты, проводившиеся в печи, предназначенной для получения монокристаллов карбида кремния методом сублимации. [37]
С целью выяснения влияния нанесенных на контейнеры пиро-углеродных покрытий на величину потерь кремния, испаряющегося в процессе сублимации карбида кремния из контейнера, а также на величину, количество и качество получаемых кристаллизацией из паровой фазы монокристаллов карбида кремния а-модификации были поставлены опыты, проводившиеся в печи, предназначенной для получения монокристаллов карбида кремния методом сублимации. [38]
С целью выяснения влияния нанесенных на контейнеры пиро-углеродных покрытий на величину потерь кремния, испаряющегося в процессе сублимации карбида кремния из контейнера, а также на величину, количество и качество получаемых кристаллизацией из паровой фазы монокристаллов карбида кремния а-модификации были поставлены опыты, проводившиеся в печи, предназначенной для получения монокристаллов карбида кремния методом сублимации. [39]
С целью выяснения влияния нанесенных на контейнеры пиро-углеродных покрытий на величину потерь кремния, испаряющегося в процессе сублимации карбида кремния из контейнера, а также на величину, количество и качество получаемых кристаллизацией из паровой фазы монокристаллов карбида кремния - модификации были поставлены опыты, проводившиеся в печи, предназначенной для получения монокристаллов карбида кремния методом сублимации. [40]
Монокристаллы карбида кремния обладают действительно уникальными свойствами и перспектива управления ими очень заманчива. [41]
Травление монокристаллов карбида кремния по описанной методике приводит к появлению ямок травления, соответствующих местам выхода линий дислокаций на поверхность шлифа. Эти ямки различны по форме, размерам и ориентации относительно кристаллографических осей. [42]
Однако широкому применению этого материала для производства приборов препятствует неудовлетворительный уровень технологии его получения. В настоящее время наиболее распространенным методом выращивания монокристаллов карбида кремния является метод сублимации, но монокристаллы SiC, выращенные этим методом в лабораторных условиях, очень дороги и выход их мал. В то же время известно, что при промышленном производстве карборунда в результате того, что там имеет место процесс пересублимации карбида кремния, образуются монокристаллы карбида кремния с поверхностью, превышающей 1 см2, и явно выраженным монокристаллическим строением. [43]
Ширина запрещенной зоны при 500 С составляет 2 66 эв. Плоскостные p - n - переходы на монокристаллах карбида кремния позволяют получить выпрямители на рабочие температуры до 600е С. [44]