Монокристалл - карбид - кремний
Cтраница 2
Наряду с диффузионным легированием, монокристаллов карбида кремния интенсивно развивается и ионное легирование, что для SiC особенно актуально в связи с высокими температурами и большими длительностями диффузионных отжигов. [17]
Плоскостные - - переходы на монокристаллах карбида кремния позволяют получить выпрямители на рабочие температуры до 600 С. [18]
При соблюдении всех этих условий можно получить монокристаллы карбида кремния размером до 10 - 12 мм в поперечнике в течение 6 часов при температуре 2450 С. [19]
В табл. ХХ-1 приведены данные о микротвердости монокристаллов карбида кремния различных модификаций в зависимости от ориентации кристаллов относительно индентора. [20]
 |
Изменение сопротивления силито-вого стержня от температуры. [21] |
Получая плоскостные р - / г-переходы на монокристаллах карбида кремния, изготовляют выпрямители на рабочие температуры 500 - 600 С. [22]
После того как Lely впервые опубликовал способ получения монокристаллов карбида кремния методом сублимации, прошло около десяти лет. За этот сравнительно небольшой срок проделаны значительные исследования различных методов получения SiC, его электрофизических свойств, а также характеристик приборов, изготовленных на его основе. [23]
Светодиоды могут быть созданы как методом диффузии примесей в монокристаллы карбида кремния, арсенида галлия, фосфида галлия и др., так и методом вплавления. Рассмотрим технологию изготовления диффузионных светодиодов из карбида кремния. [24]
Описанные выше методы позволяют определять степень совершенства и структуру монокристаллов карбида кремния, а также выявлять особенности строения исследуемых кристаллов. [25]
Металлографический метод исследования дает существенный вклад при исследовании качества монокристаллов карбида кремния. [26]
Описанные выше методы позволяют определять степень совершенства и структуру монокристаллов карбида кремния, а также выявлять особенности строения исследуемых кристаллов. [27]
Металлографический метод исследования дает существенный вклад при исследовании качества монокристаллов карбида кремния. [28]
Из поликристаллического карбида кремния могут быть получены методом возгонки в инертном газе монокристаллы карбида кремния, отличающиеся химической чистотой. Они широко используются для изготовления диодов и транзисторов на рабочие температуры до 500СС, а также для производства светодиодов. [29]
 |
Выход продуктов ( и % термического разложения ClljSiCI, [ 2Hi ].| Зависимость ДС реакций ( 1. ( 2 и ( 3 от температуры ( реакции в тексте. [30] |
Страницы: 1 2 3