Cтраница 1
![]() |
Осевой градиент температуры Д Т и мини - У01й К / мин. [1] |
Монокристаллы кремния должны иметь заданные электрофизические свойства: тип и величину электропроводности, однородность ее распределения ( разброс), тннз. [2]
Монокристаллы кремния подвергаются облучению как. Последний вариант является более предпочтительным, так как снижает жесткие требования к однородности распределения потока по длине рабочей зоны реактора, что необходимо для получения однородно легированного по длине монокристалла. [3]
Монокристаллы кремния, обладающие большой однородностью, получают вытягиванием из расплава или методом бестмгельного зонного плавления при многократном прохождении зоны. [4]
Монокристаллы кремния получают методом вытягивания или методом бестигельной ( вертикальной) зонной перекристаллизации. [5]
Монокристаллы кремния, легированные Р и As с концентрацией носителей ( 8 - 9) 1019 см 3, были подвергнуты отжигу в атмосфере водорода при температуре 1200 С в течение 24 часов с последующей закалкой в воду. [6]
Монокристаллы кремния вытягивают и по методу Чохральского. Тигель в этом случае не является серьезной помехой, монокристаллы удовлетворительного качества получаются даже в случае разъедания кварцевого тигля расплавом, так как растущий кристалл не соприкасается со стенками тигля и, следовательно, почти не загрязняется. [8]
![]() |
Применение стабилитрона для стабилизации. [9] |
Монокристалл кремния стабилитрона имеет повышенное содержание донорных и акцепторных примесей. Благодаря этому при определенном значении обратного напряжения, приложенного к стабилитрону, происходит лавинообразное нарастание обратного тока. [10]
Монокристаллы кремния электронного типа проводимости, как правило, легируют фосфором, а дырочного - бором. Для получения равномерного распределения легирующей примеси в монокристалле в процессе роста проводят подпитку расплава твердой, жидкой или парообразной фазой, содержащей легирующую примесь. [11]
Монокристаллы кремния высокой степени чистоты получают выращиванием в вакууме из расплава и зонной перекристаллизацией. [12]
Каждый монокристалл кремния пакуют отдельно, помещая в полиэтиленовый пакет, который герметично заваривают. Заваренные пакеты помещают в картонные или пластмассовые коробки с мягкой прокладкой. При хранении монокристаллы кремния должны быть защищены от возможных механических повреждений, действия влаги и активных химических реагентов. [13]
Каждый монокристалл кремния помещают в пакет из полиэтиленовой пленки. Заваренные пакеты с монокристаллами помещают в картонные или пластмассовые коробки с мягкой прокладкой. На коробки наклеивают этикетку с указанием: наименования или товарного знака предприятия-изготовителя; наименование материала; марки кремния; номера слитка; массы и размеров слитка. [14]
Выращивание монокристаллов кремния из расплава в промышленных условиях осуществляют по методу Чохральского и бестигельной зонной плавкой. В 1988 г. - 85 % от общего объема производства монокристаллов кремния было выращено по методу Чохральского и 15 % бестигельной зонной плавкой. [15]