Монокристалл - кремний
Cтраница 3
Микродефекты в монокристаллах кремния и приборах на его основе обладают определенной электрической активностью [58], которая проявляется в основном в изменении рекомбинационных свойств в тех областях монокристаллов, где расположены микродефекты. Заметное влияние микродефекты оказывают и на свойства р-п-переходов, изменяя их вольтамперные характеристики и увеличивая токи утечки. Так как р-п-переходы являются основными рабочими элементами диодов и биполярных транзисторов, то электрические свойства микродефектов оказывают существенное влияние на характеристики и качество интегральных схем. [31]
А на монокристаллах кремния проводили, исходя из SiCl4 и f O, тем же методом и в тех же условиях, что и синтез титанкислородных слоев на силикагеле, описанный выше. [32]
 |
Дислокационная малоугловая граница. [33] |
Встречающиеся в монокристаллах кремния малоугловые границы можно условно разделить на две группы. [34]
При этом получают монокристаллы кремния диам. Затем на гранях монокристалла измеряют УЭС и тип проводимости; УЭС является показателем качества трихлорсилана. [35]
В [85] исследовались монокристаллы кремния, легированные до высоких концентраций бором, алюминием, фосфором, мышьяком и сурьмой. При этом не принималось никаких специальных мер для предотвращения развития дислокаций в слитках: плотность дислокаций в затравках составляла 5 103 - 1 104 см-2; кристаллы выращивались без перетяжек, в условиях значительных осевых температурных градиентов, фронт кристаллизации был заметно искривлен. [36]
При этом получают монокристаллы кремния диам. [37]
Это позволяет выращивать монокристаллы кремния большого диаметра ( 150 мм и более) с совершенной структурой без основного его дефекта - дислокаций. [38]
Важной характеристикой качества монокристаллов кремния является также разброс УЭС в поперечном сечении кристалла. Неоднородность распределения ЛЭ в поперечном сечении обусловливается, с одной стороны, кристаллографическим направлением выращивания, а с другой - технологическими факторами. [39]
При бомбардировке поверхности монокристалла кремния различными ионами с энергиями 5 0 - 1 ( Н5 Дж ионы с большими радиусами часто встраиваются в узлы решетки. [40]
 |
Распределение удельного сопротивления по длине монокристалла германия. [41] |
Основные принципы получения монокристаллов кремния аналогичны технологии изготовления монокристаллов германия. [42]
Увеличение времени термообработки монокристаллов кремния сверх необходимого приводит к возрастанию концентрации термодоноров. Генерация таких высокотемпературных термодоноров также связана с процессом распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии. [43]
Тепловые условия выращивания монокристаллов кремния при бестигельной зонной плавке непостоянны. [44]
На этой поверхности монокристалла кремния наблюдается целый ряд сверхструктур ( ее), возникающих при определенных условиях. Характерные сверхструктуры для грани Si ( lll), такие каку з X / 3, 5x5, 7х7 ] / Т9Х / ТТ, наблюдались на образцах кремния в сверхвысоком вакууме и, следовательно, обусловлены наличием в объеме различных примесей в количестве, необходимом для возбуждения сложных дифракционных картин. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5