Cтраница 1
![]() |
Схема установки для вытягивания кристаллов из расплава. [1] |
Монокристаллы германия обычно выращивают вытягиванием кристаллов ( метод Чохральского) или горизонтальной зонной плавкой. Монокристаллы кремния изготовляют также вытягиванием кристаллов или вертикальной зонной плавкой. [2]
Монокристаллы германия обычно выращивают методом Чох-ральского или горизонтальной зонной плавкой. Монокристаллы кремния изготовляют методом вытягивания или вертикальной ( бестигельной) зонной плавкой. [3]
Монокристаллы германия с малым содержанием кислорода выращивают методом Чохральского на высоковакуумных установках при остаточном давлении 10 - 5 Па. В связи с сильным испарением германия в таких условиях процесс проводят в атмосфере высокочистого водореда ( точка росы - 80 С) или в смеси водорода с инертными газами. [4]
Монокристаллы германия обычно выращивают методом Чох-ральского или горизонтальной зонной плавкой. Монокристаллы кремния изготовляют методом вытягивания или вертикальной ( бестигельной) зонной плавкой. [5]
![]() |
Распиленные монокристаллы германия.| Пример устройства германиевого детектора. [6] |
Монокристаллы германия ( рис. 174) разрезаются на пластинки, которые затем шлифуются и травятся в перекиси водорода с целью очистки их поверхности. Полученные пластинки идут на изготовление диодов. [7]
![]() |
Схема установки для вытягивания кристаллов из расплава. [8] |
Монокристаллы германия обычно выращивают вытягиванием кристаллов ( метод Чохральского) или горизонтальной зонной плавкой. Монокристаллы кремния изготовляют также вытягиванием кристаллов или вертикальной зонной плавкой. [9]
![]() |
Схематическое изображение процесса получения сплавного р-п перехода. [10] |
Монокристалл германия с электронной электропроводностью разрезается на квадратные пластинки с размером стороны квадрата 1 5 - 2 мм и толщиной порядка 200 мкм. В процессе травления толщина пластинок доводится до 75 - 100 мкм. [11]
Монокристаллы германия, предназначенные для производства полупро-водииковых приборов, легированные сурьмой, изготовляют ( ГОСТ 16153 - 80) электронного типа электрической проводимости ( ГЭ) и легированные галлием дырочного типа электрической проводимости ( ГД), Диаметр моно-кристаллическнх слитков 28 - 40 мм, длина не менее 50 мм. [12]
Монокристаллы германия, предназначенные для производства полупроводниковых приборов, легированные сурьмой, изготовляют ( ГОСТ 16153 - 80) электронного типа электрической проводимости ( ГЭ) и легированные галлием дырочного типа электрической проводимости ( ГД), Диаметр МОЕЮ-кристаллических слитков 28 - 40 мм, длина не менее 50 мм. [13]
Монокристаллы германия выпускают электронного типа проводимости, легированные сурьмой, и дырочного типа проводимости, легированные галлием. [14]
Монокристалл германия или кремния п-типа является базой диода. База припаяна к выводу свинцово-оловянным припоем, обеспечивающим омический контакт. [15]