Монокристалл - германий
Cтраница 3
Как получают монокристаллы германия и кремния. [31]
Затравка ( маленький монокристалл германия) опускается до соприкосновения с поверхностью расплава, после чего начинает медленно подниматься, вытягивая за собой монокристалл. Чаша и стержень, на котором укреплена затравка, при этом вращаются в разные стороны. [32]
Коллектором лужит основной монокристалл германия р-типа. Толстый рекристаллизованный слой эмиттера обеспечивает высокую эффективность эмиттерного перехода и высокую устойчивость его к электрическим перегрузкам. Аналогично можно изготовить дрейфовый транзистор типа п-р - п из кремния. [33]
Электрические свойства монокристалла германия ( или кремния) резко изменяются при сплавлении элемента с очень небольшими количествами других элементов. Подобные эффекты, объясняемые в последующих разделах, лежат в основе работы полупроводниковых узлов, транзисторов и интегрирующих схем. [34]
Получение расплава монокристалла германия и кремния производится по методу проф. [35]
При выращивании монокристаллов германия в тигле без вращения и с вращением ( приводящим к перемешиванию жидкости у фронта растущего кристалла) закономерность изменения коэффициента ликвации сурьмы показана на фиг. Как следует из фиг. [36]
При выращивании монокристаллов германия обычной скоростью роста является 2 мм / мин. В случае повышения до 5 - 6 мм / мин переохлаждение расплава возрастает до 10 С и более. При этом фронт кристаллизации представляет собой сочетание грани 111 и параболоидной поверхности кривизной 50 - 80 м 1; плотность дислокаций возрастает до 2 - 5 10 - 4см - 2, появляются малоугловые границы, в ряде случаев возникает блочная структура, часты случаи двойникования. [37]
Оптические постоянные монокристалла германия. [38]
Исходная пластинка монокристалла германия должна иметь определенную толщину, плоские параллельные поверхности и обладать определенной кристаллографической ориентацией. Это помогает управлять взаимным пространственным расположением электронно-дырочных переходов и их формой и оказывает положительное влияние на механическую прочность структуры. Обычно пластинки получают из плоских заготовок, которые, в свою очередь, нарезают из монокристаллического слитка германия алмазными дисками, шлифуют или травят. [39]
Вырезанные из монокристалла германия или кремния пластинки шлифуют и травят до необходимой толщины. Эти операции являются ответственными, так как получающаяся после вплавления эмиттера и коллектора толщина базы зависит от толщины исходной пластинки, а свойства полупроводникового триода в значительной степени зависят от толщины базы. Поэтому перед вплавлением переходов толщину пластинок тщательно контролируют. [40]
 |
Схема технологического процесса изготовления сплавного. [41] |
Вырезанные из монокристалла германия или кремния пластинки шлифуют и травят до необходимой толщины. [42]
Вырезанные из монокристалла германия или кремния пластинки шлифуют и травят до необходимой толщины. Эти операции очень ответственны, так как получающаяся после вплавления эмиттера и коллектора толщина базы зависит от толщины исходной пластинки а свойства транзистора в значительной степени определяются толщиной базы. Поэтому перед вплавлением переходов толщину пластинок тщательно контролируют. [43]
Кривая ползучести монокристалла германия, а также деформация нитевидных кристаллов кремния показывают наличие инкубационного периода, называемого Ван Бюреном - начальным или периодом задержки. [44]
Для травления монокристаллов германия Шелл [7] рекомендует приведенные ниже реактивы. [45]
Страницы: 1 2 3 4