Cтраница 2
Каждый монокристалл германия помещают в пакет из полиэтиленовой пленки. В пакет с монокристаллом вкладывают документ о качестве. [16]
Слитки монокристаллов германия или кремния длиной 40 - 150 мм и диаметром 15 - 30 мм в первую очередь подвергаются контрольной проверке: проверяется тип проводимости и распределение удельного сопротивления вдоль слитка, после чего из слитка вырезается участок с необходимым удельным сопротивлением. Следующей операцией является ориентировка кристалла, которая производится по трем главным направлениям кубической решетки [111], [ ПО ], [100] на рентгеновских или оптических установках с точностью до 1, что вполне достаточно для производства тензоэлементов. [17]
![]() |
Схема установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. [18] |
Выращивание монокристаллов германия, кремния и ряда других веществ методом вытягивания из расплавов ( рис. 6.5, г) является в настоящее время наиболее распространенным при промышленном производстве больших монокристаллов с контролируемыми и воспроизводимыми свойствами. [19]
Обработка монокристаллов германия различными хранителями стимулирует рост поверхностной оксидной пленки толщиной от нескольких единиц до нескольких десятков им в зависимости от технологии травления и последующего хранения пластин. [20]
![]() |
Влияние диффузионной. [21] |
Для монокристалла германия, находящегося в тепловом равновесии, произведение концентрации электронов на концентрацию дырок есть величина постоянная. [22]
Макроструктура монокристалла германия с я-р-л-перехо - дом. [23]
![]() |
Расположение точек на торцах монокристаллов элементарных полупроводников, в которых измеряют р для оценки его разброса по торцу и по длине. [24] |
В монокристаллах германия измеренное в каждой точке торца значение удельного электрического сопротивления не должно выходить за пределы допускаемых отклонений от выбранного номинала. [25]
![]() |
Исследование движения дырок, введенных в германий п-типа. [26] |
В монокристалле германия удается создать у электрода заряды противоположного знака по отношению к нормальным носителям тока. [27]
На монокристаллах германия, где заряды обладают большой длительностью свободного существования, порядка 0.001 сек. В то же время электрическое поле в несколько сотен вольт па сантиметр, созданное в определенном месте с помощью острия, уже резко увеличивает концентрацию носителей тока данного знака. Таким образом, в германии налпцо условия, которые необходимы для осуществления описанного метода измерения подвижности. Результаты его, близко совпали с данными, полученными другими путями. Другой способ создания неосновнь х носителей - импульсное освещение полупроводника узким пучком света, которое производит такое же воздействие, как инжек-ция носителей из острия. Измеряя с помощью осциллографа промежуток времени между освещением и приходом неосновных носителей к коллектору, можно вычислить их подвижность. [28]
В монокристалле германия подвижность электронов составляет хп 3900 см2 / в с. Считая, что собственная концентрация составляет ni 2 5 - 1013 см 3, найти собственную проводимость 3 (, минимальную проводимость и максимальное сопротивление. [29]
Например, монокристаллы германия в настоящее время получают чистотой 99 99999999 с ( один атом примеси на 10 миллиардов атомов), но и в этом случае в одном грамм-атоме будет содержаться 1012 чужеродных атомов. Решетка вокруг примесей искажена, ее строение нарушено, и, следовательно, атомам и участку решетки вокруг чужеродных атомов в целом свойственна повышенная энергия. [30]