Cтраница 1
Монокристалличность полученных слоев исследовалась по эпиграммам, которые однозначно подтвердили кристаллографическую однонаправленность эпитаксиальных слоев и подложек. Состав слоев твердых растворов определялся по периоду кристаллической решетки, измеренному по дебаеграммам на порошках, изготовленных из материала слоев и подложек. [1]
Нарушение монокристалличности можно обнаружить визуально по изменению отражения света тех участков поверхности монокристалла, где появились двойники. Однако часто оксидная пленка на поверхности монокристалла затрудняет выявление этого вида дефекта. После травления четкость выявления нарушений монокристалличности резко повышается. [2]
Для проверки монокристалличности выращенный кристалл помещают в чашку Петри и протравливают в течение 10 - 15 мин в 3 % - ном растворе Н202, содержащем несколько капель NaOH. Записывают результаты наблюдений за травлением поверхности монокристалла. [3]
Лучшим критерием монокристалличности служит, конечно, рентгенограмма. Однако для флуоресцирующих веществ существует еще одна возможность, которую не следует оставлять без внимания. Если флуоресценция происходит в видимой области, ее можно наблюдать через пластиковый поляроид. Так как флуоресцентное излучение обычно поляризовано, то при наблюдении флуоресценции через поляроидный фильтр и вращении кристалла относительно поляроида должно происходить частичное тушение. Это частичное тушение должно осуществляться на всей поверхности кристалла при одинаковом относительном положении кристалла и поляроида. [4]
Первоначально в монокристаллах кремния контролировали только нарушения монокристалличности ( образование двойников), затем плотность и распределение дислокаций и, наконец, начали контролировать плотность и распределение микродефектов в бездислокационных монокристаллах. [5]
Условием для количественного структурного анализа является, как правило, монокристалличность материала. При работе с кристаллическими порошками ( способ Дебая - Шерера) иногда получают лишь полуколичественные результаты. [6]
Первостепенное значение для получения пленки с малым количеством структурных дефектов имеет монокристалличность подложки. Подложка должна быть монокристаллична, низкоомна, бездислокационна, ибо число дислокаций в пленке никогда не бывает меньше, чем в исходной подложке. [7]
При температуре выше 1100 С от качества обработки поверхности подложки зависит монокристалличность пленки. Необходимым условием получения монокристаллических пленок является удаление с поверхности окисных пленок. Действительно, если сильно окислить подложку, а затем протравить в окисном слое окна и провести процесс наращивания эпитаксиальной пленки, то на окисленной поверхности образуется поликристаллический слой, а в окнах блестящее монокристаллическое покрытие. [8]
Появление объемных дефектов соответствует выделению второй фазы и, следовательно, нарушению монокристалличности образца. [9]
Таким образом, условия нагрева и скорость перемещения зоны должны быть такими, чтобы обеспечивалась монокристалличность слитка при всех последовательных проходах зоны; только при соблюдении этого условия имеет смысл проводить расчеты наиболее экономичных режимов работы установок зонной очистки. [10]
Голубые кристаллы пятиокиси ниобия при нагревании в присутствии воздуха становятся бесцветными, не теряя при этом монокристалличности. [11]
Камера предназначена для исследования реальной структуры кристаллов в малых объемах следующими методами: методом Лауэ для определения степени монокристалличности и ориентации кристаллических включений в шлифе, а также для исследования малых объектов, например нитевидных кристаллов; методом Ланга при съемке неподвижных кристаллов для изучения дефектной структуры монокристаллических объектов малых размеров, например нитевидных кристаллов; методом Дебая для локального фазового анализа микрообъектов в виде столбиков и проволочек, а также анализа включений в шлифе. [12]
По окончании процесса печь охлаждают со скоростью 20 град / мин, слиток извлекают из ампулы и исследуют на монокристалличность изготовлением и протравливанием шлифа и другими методами. [13]
По окончании процесса печь охлаждают со скоростью 20 град / мин, слиток извлекают из амиулы и исследуют на монокристалличность изготовлением и протравливанием шлифа и другими методами. [14]
Для нахождения состава слоев использовались методы рентгено-епектрального и рентгенофазового анализов. Монокристалличность слоев определялась по лауэграммам. [15]